セミコンジャパン2017、12月13日から15日東京ビッグサイトで開催されました。ALD関連の展示について記載します。(下記は私見であり、全てのブースを確認したわけではありません。)

総括しますと、半導体好景気を受けて東京エレクトロン社が非常に元気があるように感じました。Ulva社が得意としているPVDと組み合わせで複合クラスタツールの一つとしてALDを提案しておりましたが、その他のメーカーも同じですが、ALDとしての進展はあまり強く感じられませんでした。
またOxfordインスツルメンツ社がALE 原子層エッチングのパネルを展示しておりました。

A. 装置
① TEL(東京エレクトロン)社
ALD装置で700℃以上でSiO2を成膜していたのが非常に目を引きました。通常ALDはCVDに比較して低温が利点として挙げられますが、高温による結晶化が進み、極薄ながら優れた絶縁性能を上げられたのではないかと推測します。
20171 TEL catalog
1. 熱処理成膜装置「TELINDY PLUS』バッチ式(ALDの他にCVD, 酸化とアニール装置として対応可能)
2. ALD装置「NT333」枚葉式
対応温度: 400℃の低温と700℃の高温対応が可能
参考成膜例
膜種:SiO2
膜厚:7.15nm
アスペクト比: 50:1
ホール径と深さ: 30nm, 1.5μm
膜厚温度: 760℃

② Oxford インスツルメンツ社
ALDもALEも搭載可能なPlasmaPro100。クラスターツールも可。
2017 Oxford PlasmaPro100 catalog
ALD2017学会での論文中で使用されたALE装置はこれが多く使用されていたと記憶しております。

③ JSWアフィティ社(日本製鋼所)
昨年バリア層で優れたデータをパネル展示していましたが、今年は特に新規データの展示はありませんでした、ただ大型基板(G5/G6パネル)での展開に期待したいと思います。

④ Ulvac社
クラスタツールENTRON-EXの提案をしておりました。マルチチャンバーで、PVD, ALDなどを標準10室のプロセスを一括で成膜可能です。
2017 Ulvac ENTRON-EX W300

⑤ ハイテック・システムズ社
米国Veeco(旧Cambridge Nanotech社)のALDをパネル展示。

⑥ サムコ社
AlOx, SiO2のパネル展示。

⑦ ワッティー社
ヒーター・センサーの製造メーカーのワッティー社がALD装置の展示をしておりました。2”、4”(新製品)、8”対応の装置をパネル展示。

B. 材料
⑥ 巴商会社
ドイツDock Chemicals社のALD用プリカーサーをパネル展示をしておりました。Dock Chemicals 社はIII/V化合物半導体で使用される有機金属プリカーサーTBAs (Tertiarybutylarsine)の世界唯一のメーカーとのこと。また二次元遷移金属ダイカルコゲナイド向けにDTBS (Ditertiarybutylsulphide), DiPSe(Diisopropylselenide), DETe(Diethyltellurium)などを紹介しておりました。

C. 中古装置
Ulvacテクノ社にて初めてALDの中古装置の発見しました。SiO2などでは実績のあるASM社のALD装置です。
ASM社Polygon8200

(極力簡易的にしましたが、無断でカタログなどをアップロードしており、各メーカー様には非礼をお詫び致します。)