ALD/ALE2018 プログラム
国際学会 ALD/ALE2018 韓国仁川、2018年7月29日から8月1日
のプログラムが発表されました。
https://ald2018.avs.org/schedule/
口頭発表の訳
（完了しております。誤字脱字、語句の理解不足もあるかと思いますがご容赦下さい。）
7月30日（月曜）
全体セッション
8:30 （招待講演）メモリーテクノロジーの進展と将来的微細化の挑戦（韓国、SKハイニクス）
9:15 （招待講演）突然の転向 – ALDテクノロジー（韓国、Wonik IPS）
10:45: （招待講演）ALEメカニズム研究から学び、将来的要求の考察（韓国、Samsung）
— ALDの応用 —
メモリーデバイスと材料
13:30 （招待講演）3次元V-NANDフラッシュメモリーの鍵となるALD（韓国、Samsung）
14:00 ALD成膜したナノラミネート上High-k酸化膜のバンドオフセットエンジニアリングによる室温共鳴トンネル現象（メキシコ、National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics ）
14:15 Hf(BH4)4とH2Oを使ったHfO2の ALD成膜（米、Argonne 国立研究所）
14:30 7nmやそれ以降の線幅のTaN ベースマルチVth（線形しきい値）デバイス（米国、グローバルファンドリー）
14:45 （招待講演）ALDについて – 現在のSiベースの半導体プロセス後に続く量産を狙ったいくつかの有望な応用（韓国、Hanyang大学）
15:15 水素プラズマ還元を使った化学量が可変なNbOxのALD（米、U.S. Naval Research Lab）
— ALDの応用 —
メモリーデバイスと材料
16:00（招待講演）絶縁材料の上に成長させたタングステン（W）ALDのフッ素の効果（韓国, SKハイニクス）
16:30 Cuメタリゼーションのための低温Ru ALD (米国, Argonne国立研究所)
16:45 酸素なし熱式ALDによる低抵抗Ruのコンフォーマルな成長（米国, EMD Perfomance Materials）
17:00 高品質で熱的に安定性のあるニッケルシリサイド用のNiやNi合金薄膜のPE-ALD (韓国, Yeungnam大学)
17:15 メモリー用途向け低抵抗拡散バリア層としてのTi-Si-N 三元薄膜合金（米国、Eugenus社）
17:30 高反応なヒドラジン代替品とTetrakis(dimethylamido)Titaniumを使用した混合相TiNxCyの ALD (スペイン、CIC nanoGUNE)
— ALDの基礎 —
プリカーサーとプロセス
13:30（招待講演）迫り来るタイムスケール：モノレイヤーの安定化はプリカーサーに落とし込んで確立できるのか？（カナダ、Carleton大学）
14:00 複数リガンドを持つジルコニアALDの比較研究（フィンランド、ヘルシンキ大学）
14:15 TMAに替わる酸化アルミニウム用の新しいALDプリカーサー（ドイツ、Ruhr-University Bochum）
14:30 熱に安定なアルミニウムハイドライド還元剤を用いたメタルアルミニウムのALD（米国、Wayne州立大学）
14:45 水素とCopper Aminoalkoxidesプリカーサーを使ったCuの低温プラズマALD（日本、ADEKA社）
15:00 ReSeのALD（フィンランド、ヘルシンキ大学）
15:15 無機ジシラン(H6Si2)をプリカーサーを使ったSiNxのALD（米国、テキサス大学ダラス校）
— ALDの基礎 —
メカニズムと表面科学
16:00 Tris(dimethylamino)silaneと酸素プラズマを使ったプラズマALDによる種々のHigh-k材上へのSiO2の異なる成長メカニズム（日本、物質・材料研究機構）
16:15 原子層エピタキシャル成長のためのGaN表面の原子層プロセスのリアルタイム表面科学（US Naval Research lab）
16:30 Zn(O,S) ALD成膜中の表面化学（韓国、Hongik大学）
16:45 オーガニックなテキスタイへのメタルALD成長中の表面反応メカニズム（韓国、Yonsei大学）
17:00 絶縁物へのRu-ALDの表面依存性と拡散調整された核形成への考察（ベルギー、ルーベンカトリック大学）
17:15 種々のアミノシランプリカーサーを含んだ酸化シリコン膜用のプラズマALDの表面酸化モデル（日本、東京エレクトロン社）
17:30 リアルタイムオージェ電子分光を用いて調べたAl2O3とHfO2の熱式とプラズマALD（イギリス、グラスゴー大学）
— ALE （エッチング） —
プラズマと/又はエネルギー支援ALE
13:30（招待講演）AlGaN/GaN HEMT のためのALEプロセスとUVダメージの検証（日本、東芝メモリ）
14:00（招待講演）リアルタイム表面診断を使ったシリコンベースの絶縁薄膜のプラズマALE（米国、コロラド鉱山大学）
14:30 酸化と（NH4)2SiF6形成で構成された２段階プラズマALDによるシリコンのALE（韓国、KIMS）
14:45 C4F8/Ar ALEを使用したSi3N4上にあるSiO2の選択的エッチングの要因（米国、ミシガン大学）
15:00 イオンエネルギー分布の制御のためのバイアスシステム（米国、Advance Energy社）
15:15 低エネルギーイオン照射下のHexafluoroacetylacetone(hfac) とメタル表面の反応（日本、大阪大学）
— ALE （エッチング） —
プラズマと/又はエネルギー支援ALE
16:00（招待講演）<10nm世代のロジックデバイス製造に向けたALEテクノロジーの応用（韓国、サムソン社）
16:30 Acetylacetonと酸素プラズマを使った3次元ナノ構造にあるZnOの等方性ALE（オランダ、Eindhoven工科大学）
16:45 低エネルギーイオンとガスクラスターの照射で誘導したハロゲン化したレイヤーのエッチング反応（日本、大阪大学）
17:00 オージェ分光表面分析を利用したデュアルバリアGaNベースパワーデバイス作成のためのALEプロセス最適化（イギリス、グラスゴー大学）
17:15（招待講演）メモリー微細化を可能にするALE (米国、マイクロン社）
— ナノ構造合成と作成 —
2次元材料（原子層）
13:30 ALDによる2次元SnS薄膜の低温成長（韓国、KIST）
13:45 2次元半導体SnS2のALD（フィンランド、ヘルシンキ大学）
14:00 ALDによる単相SnS2薄膜のウエハースケール成長（韓国、KIST）
14:15 ALD SnS薄膜とデバイス応用（韓国、Hanyang大学）
14:30 ALDによる2次元MoS2合成とMoS2-グラフェンヘテロ接合（韓国、Yonsei大学）
14:45 bis(tert-butylimido)-bis(dialkylamido)化合物と1-Propanethiolから作成したMoS2/WS2ナノラミネートのALD（米国、国立標準技術研究所）
15:00 改良型ALDによるSiO2/Si基板上へのウエハースケールMoS2モノレイヤーの成長（韓国、Hanyang大学）
15:15 MoF6とH2Sで作成したALD MoS膜のX線吸収分光解析（米国、Boise州立大学）
— 注目材料 —
ラミネート、多元材料、窒化膜
16:00 熱式及びプラズマALDで成長させたTiO2/Al2O3ナノラミネートの比較：成長メカニズムと材料特性（ブラジル、Universidade do Vale do Paraiba）
16:15 ホットチャックと高速熱式アニーるによるALD PbTiO3とPbTixZr1-xO3膜のテクスチャー制御（米国、メリーランド大学）
16:30 ALDで作成したTixSi(1-x)O2 膜の光学的及び電気特性（チェコ、Masaryk大学）
16:45 磁性Fe3O4/TiO2コアシェル型ナノパーティクル作成のための協調コーティングと還元（スペイン、CIC nanoGUNE）
17:00 AlN – アモルファスから高配向性六方晶薄膜（フィンランド、Beneq社）
17:15 ポリクリスタルGaN膜の400℃での純然たる熱式成膜（オランダ、トゥウェンテ大学）
17:30 第１３族元素の窒化膜用のABCタイプパルシング（スウェーデン、リンショーピング大学）
7月31日（火曜）
— ALDの応用 —
メモリー応用： RRAM & ニューロモーフィック、MIMキャパシター
8:00（招待講演）ALDを使ってMetal/Insulator/Metalデバイスを形成する（米国、オレゴン州立大学）
8:30 ALDで作成した酸化膜ベースReRAMの抵抗スイッチングパラメータへのメタルナノ結晶のサイズと分布の影響（中国、南京大学）8:45 ALDによるエピタキシャル電気材料（フィンランド、ヘルシンキ大学）
9:00 ライン統合のバックエンド用の強磁性Hf0.5Zr0.5O2のスケーリング（米国、テキサス大学ダラス校）
9:15（招待講演）ALD （韓国、サムスン社）
9:45 Hf/Zrカクテルプリカーサーを使ったALDによるHfxZr1-xO2薄膜の強磁性へのZrO2キャッピングへの影響（日本、明治大学）
— ALDの応用 —
光化学エネルギー
11:30 太陽電池変換に関するALDの応用（シンガポール、Nanyang工科大学（NTU)）
— ALDの基礎 —
プリカーサーとプロセス
8:00 Bis(Methylcyclopentadienyl)(MethylPentyl Pyrazolato)Yttrium(III) からのYO のALD （米国、EMD Perfomance Materials 社）
8:15 SiOの低温熱式ALD – 選択肢を増やすこと（フィンランド、Picosun社）
8:30 Al2O3薄膜の熱式ALDのための非発火性Al用プリカーサー（韓国、Hansol Chemical）
8:45 ReのためのALDカーバイド化学的アプローチに関する研究（フィンランド、ヘルシンキ大学）
9:00 Co成膜のための先進プリカーサーの開発（韓国、Versum Materials）
9:15 ストイキメトリックなCoOxのためのCobalt(II) Chloride ALD用のジアミン付加体とコバルトメタル薄膜への還元（フィンランド、ヘルシンキ大学）
9:30 （招待講演）KRICTにおけるALD用新規メタルプリカーサー開発（韓国、KRICT）
— ALDの基礎 —
メカニズムと表面科学
11:45 SiNx ALD成膜中に起こる窒素が潤沢な表面におけるハロゲン化シランの反応メカニズム（米国、テキサス大学オースティン校）
— ALE（エッチング） —
ガス相と/又は熱式ALE
8:00 汎用プラズマツールでのフルオロカーボンベースのSiO2 ALE （米国、Lawrence Berkely National lab）
8:15 （招待講演）アトミックレベルプロセス用のダメージを受けた層の制御（日本、ソニー社）
8:45 有機ランタン化合物の形成と脱離を経過してのLaOxの選択的熱サイクルALE （日本、日立製作所）
9:00 酸化と「変換エッチング」メカニズムを使ったSiの熱式ALE（米国、コロラド大学ボルダー校）
9:15 パージなしでフッ化水素とTMA（トリメチルアルミニウム）の連続表出によるAl2O3の高速ALE（米国、コロラド大学ボルダー校）
9:30 酸素による酸化とWCl6 またはWF6を使ったメタルWの自己制御な熱式ALE（米国、ノースカロライナ州立大学）
9:45 アルカリ化合物を使った２次反応を経る改良型の熱式HFベースALE方式（米国、カルフォルニア工科大学）
— ALE（エッチング） —
ALEのモデリング
10:45 （招待講演）熱式ALEのための理解とプロセス設計でのモデリングの役割（アイルランド、Tyndall国立大学）
11:15 分子ダイナミクスシュミレーションを使ったSiのALEの物理的ダメージの分析（日本、日立製作所）
11:30 熱式ALE中のリガンド交換反応からのダイマー（二量体）生成物（米国、コロラド大学ボルダー校）
11:45 フルオロカーボンとアルゴンプラズマによるSiO2 ALEの分子ダイナミクスシュミレーション（日本、大阪大学）
— エリア選択ALD（AS-ALD） —
エリア選択ALD I
8:00 電子援用ALDを使ったBNのエリア選択成膜（米国、コロラド大学ボルダー校）
8:15 AS-ALDで使用するための反応性モノレイヤー（米国、IBM社）
8:30 Siプリカーサー阻害物質を使ったAS-ALD（韓国、仁川国立大学）
8:45 選択的成膜プロセス開発のためのその場及び取り出した状態での観察と方法（フランス、LTM
9:00 50nm以下のSi3N4/アモルファスカーボン構造でのSi3N4上のTiN, TiO2 とHfO2のAS-ALD（ベルギー、IMEC）
9:15 メタル/絶縁体上でのAS-ALDに向けて ー Cu, Co, WとRuの比較検討（米国、スタンフォード大学）
9:30（招待講演）AS-ALDのための高速化されたサイクル（ドイツ、Eindhoven工科大学）
— ナノ構造合成と作製 —
ナノ構造 I
10:45（招待講演）ALDによる触媒の精密テーラーメイド製法 （中国、中国科学院山西媒炭化学研究所）
11:15 ALDを使ったナノパーティクルへのマルチ機能の超薄膜（韓国、Hanyang大学）
11:30 エリア選択性ALD (AS-ALD)を使ったセミ組み込み構造の形成による Au/TiO2触媒の焼結防止能力の改善（中国、華中科技大学）
11:45 ALDを使ったBN（ボロンナイトライド）ナノチューブ、ナノポアとナノポーラスメンブレンの調整（フランス、Institute Europeen des Membrances）
— ALD基礎—
特徴化
15:00 ALD Al2O3の電気的及び化学的特性に関するハイブリッドな電気的テイラーメイド絶縁薄膜と基板の影響（米国、ペンシルベニア州立大学）
— ALD応用—
アクティブマトリックスデバイスと材料
16:00（招待講演）アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタベースの不揮発性メモリーデバイス（中国、復旦大学）
16:30 オボニックスレッシュホールドスイッチング材料の組成調整のためのメタルTeのALD（米国、Intermolecular社）
16:45 新規Siプリカーサーを使った保護膜用低温SiNxのプラズマALD（韓国、DNF社）
17:00 室温FETのための超薄膜メタリックTiNベースチャンネルの原子層デルタドーピング（高ドーパント濃度）とALD（台湾、国立台湾大学）
17:15 ALDで作成したSnドープしたZnO薄膜トランジスターの改善に関するアニール条件の影響（中国、復旦大学）
— ALE（エッチング） —
ALEのための用途
13:30 Al2O3の熱式ALEにおけるフッ酸パルスのメカニズム（アイルランド、Tyndall国立大学）
13:45 7nmロジックノードとその先の Low-K絶縁体エッチングの挑戦 – 連続波 vs 準プラズマALE（米国、東京エレクトロンUSA）
14:00 （招待講演）アトミックスケールプロセスによるエッチングプロファイルの精密制御（日本、東京エレクトロン宮城）
— ALD基礎—
高アスペクト比
16:00 ALDにおけるポーラス構造で高表面積材料への埋め込み動力学のモデリング – （米国、Argonne国立研究所）
16:15 シリコンの横方向の高アスペクト比構造を使った薄膜コンフォーマル性、安定性とモデリング（フィンランド、VTT）
16:30 High-k材用の高温安定性を持った新規Zrプリカーサーの高ステップカバレージ特性（韓国、DNF社）
16:45 ALD: 高アスペクト比TiO2ナノ構造の適用（チェコ共和国、Pardubice大学）
17:00 横方向の高アスペクト比構造による熱式とプラズマALDに関するコンフォーマル性の限界メカニズム（オランダ、Eindohoven工科大学）
17:15 ALDを使った補強ファイバー織物へのマルチレイヤー（ドイツ、Chemnitz工科大学）
— ALE（エッチング） —
選択性ALE
14:30 金属酸化物と窒化膜上での熱式選択性エッチング（韓国、Air Liquid社）
14:45 材料選択性のためのALEの利点（米国、Lam Research社）
15:00 （招待講演）半導体産業におけるエッチング技術の需要のためのアトミックスケール精度に向けて（米国、IBM社TJワトソン研究センター）
— 量産化に向けたALD —
量産化に向けたALD
16:00 （招待講演）空間的Spatial ALD（S-ALD）を使った革新的透明導電膜のオープンエアープロセス（フランス、Grenoble INP/CNRS）
16:30 DCプラズマの高速空間的S-ALDを使った成膜したSiO2とAl2O3のコンフォーマル性（米国、Lotus Applied Technology社）
16:45 蒸気引き出しアンプル（薬品容器）からのプリカーサー輸送の特徴づけ（米国、NIST）
17:00 量産ALDでのコンフォーマル性のモニタリング – 縦方向と横方向での高アスペクト比テスト構造での比較（フィンランド、VTT）
17:15 ALDプロセス観察のためのリモートプラズマ分光ベースの手法（イギリス、Gencoa社）
— エリア選択ALD（AS-ALD） —
エリア選択ALD II
13:30 等温ALD と熱式ALEの統合: TiO2エリア選択ALDのための「原子レベルプロセス」（米国、ノースカロライナ州立大学）
13:45 RuO4-プリカーサーとH2ガスを使ったRu ALD成膜中における基板固有の選択性と核形成強化（ベルギー、Ghent大学）
14:00 無水過酸化水素を使った選択性成膜のための表面下処理と高い核形成性（米国、RASIRC社）
14:15 SiNやSiO2より優位なSi(000)上へのMoSixの選択的ALD（米国、カルフォルニア大学サンディエゴ校）
14:30 将来的なAS-ALDのための異なる表面（Si, SiC, SiO2とSiNx）上でのSiベースALD成長中の各形成の違いの調査（アイルランド、Tyndall国立研究所）
14:45 （招待講演）AS-ALDと触媒反応に関する応用のための戦略（中国、華中科技大学）
— 注目材料 —
有機-無機ハイブリッド材料
13:30 ALD/MPI混合プロセスを使ったケブラー®（DuPont™社パラ系アラミド繊維）の強靭さとUV感度除去の同時強化（スペイン、CIC nanoGUNE）
13:45 気相埋め込み後に得られる導電性ハイブリッド材の相乗作用を持ったドーピング（スペイン、CIC nanoGUNE）
14:00 残留溶液分子によって促進される無反応ポリマーでのZnOの埋込合成（米国、Brookhaven 国立研究所）
14:15 膜の工学設計した無機-有機薄膜での熱導性（フィンランド、Aalto大学）
14:30 ALD/MLDで作成したアゾベンゼンベースの無機-有機薄膜のリバーシブルなシストランスイソメラーゼ（フィンランド、Aalto大学）
14:45 3次元造形されたポリマー材の連続埋込を通しての有機/無機ナノ組成合成: マイクロ構造の研究（米国、Argonne国立研究所）
15:00 汎用ALDプリカーサーのOH/H2Oを含んだ金属有機材料との反応性（米国、テキサス大学ダラス校）
15:15 将来的なセンサー用途のための無機/有機カルボン酸塩（またはエステル）ネットワーク薄膜のALD/MLD成膜（フィンランド、Aalto大学）
— ナノ構造合成と作成 —
ナノ構造 II + ALE
16:00 MoF6+H2Oを使った2次元材料と金属酸化膜のALEと化学気相エッチング（米国、Argonne国立研究所）
16:15 （招待講演）ALDによるメンブレン: 設計と用途（フランス、Institut European des Membranes）
16:45 ALD Al2O3/TiO2極薄膜(<10nm)のヘテロ構造界面での2次元電子ガス(2DEG)を使ったFET（韓国、Hanyang大学）
17:00 プラズマALD中の核形成挙動の制御による増加させたWS2の結晶グレインサイズ（ベルギー、ルーヴェン・カトリック大学）
17:15 電気化学性能改善のためのプラズマALD中のナノ構造形成したWS2の物性制御（オランダ、Eindhoven工科大学）
— ALDの応用 —
ディスプレイデバイスと材料
— ALDの応用 —
フレキシブル用途
プラズマALD I
— ALDの基礎 —
プラズマALD II
— 注目材料 —
電池とエネルギー貯蔵 I
9:30 フレキシブルキャパシターのためのカーボン繊維の多孔質と強靭性の相反する矛盾の解決方法（韓国、Korea Institute of Machinery and Materials
— 注目材料 —
電池とエネルギー貯蔵 II
10:45 （招待講演）エネルギー変換と貯蔵材料の原子レベルでの精緻な界面工学（米国、Michigan大学）
11:15 ALDを使った正極表面へのパッシベーションによるLiS電池における多硫化物のシャトル効果の最小化（カナダ、ブリティッシュコロンビア大学）
11:30 MLDを使った大面積3次元多孔質カーボンを用意するための方法とLiS電池の応用（中国、南京大学）
11:45 室温CO酸素還元の為のCeO2で支持したPt単原子とサブナノクラスターのメタル支持反応の強化（中国、華中科技大学）
— ナノ構造合成と作成 —
ナノ構造 III
10:45 誘電体バリア放電（DBD）プラズマALDを使ったAl2O3バリア膜とその応用（中国、北京印刷学院）
11:00 20nm以下の熱式スキャンニングプローブリソグラフィー（t-SPL）パターンのための連続充填形成（スイス、SwissLitho社）
11:15 ポリマー由来セラミックスに起源をもつALDを使ってBNをコートしたカーボンナノ構造の作成（フランス、リオン大学）
11:30 ヨウ化鉛 (II)（PbI2） のALD（フィンランド、ヘルシンキ大学）
11:45 大気圧プラズマ処理されたグラフェンへのALDによる結晶性High-k絶縁膜（韓国、ソウル科学技術大学校）
— ALDの応用 —
エネルギー：触媒と燃料電池ナノ構
13:30 「Oleoスポンジ」：連続使用できる浸潤合成を使って形成した、原油流出のクリーニング用の再使用可能な吸着剤（米国、Argonne国立研究所）
13:45 UV光下での抗菌コーティングとしてのALDを使ったZnOの評価（韓国、高麗大学
14:00 基板ー薄膜界面でのALDで可能になるノンリニアな光学特性（米国、Washington大学）
14:15 ALDを使ったX線光学部品のボットムアップ作成（ドイツ、Max-Planck研究所）
14:30 ALDを使って成膜した、２次電子放出の改良のためのAl2O3の厚さの最適化（中国、中国科学院 IHEP（高能物理研究所））
14:45 環境オゾンモニターリングのためのALD成膜したSnO2の成膜とアニール条件（米国、North Carolina州立大学）
15:00 スペーサー用途のALDによるTiベース酸化膜のエッチイング挙動（韓国、Yonsei大学）
— ALDの応用 —
触媒用途
13:30 （招待講演）固体酸化物形燃料電池（SOFC）カソードのALDによる表面処理（米国、カルフォルニア大学マーセド校）
14:00 電解触媒の水素放出のためのFexCo1-xSyのボットムアップALDエンジニアリング（中国、北京大学）
14:15 電解触媒水素放出のための炭化鉄（FeC、セメンタイト）のプラズマALD（中国、北京印刷学院）
14:30 低温固体酸化物形燃料電池（SOFC）の酸素還元反応（ORR）動態改善のためのALDによるガドリニアドープセリア（Gd-doped CeO2)（韓国、Hanyang大学）
14:45 ダイレクトメタノールSOFC触媒用のNiへのパラジウムナノパーティクルのALD形成（韓国、高麗大学）
15:00 拡散律速のALD：均一系触媒のカプセル封止（中国、中国科学院山西媒炭化学研究所）
15:15 低温SOFCのためのメタル電極への超薄膜ALDのYSZ （イットリア安定化ジルコニア）（韓国、ソウル科学技術大学校）
— ALDの応用 —
機能性フィルム用途
