懇意にしている先生より、このサイトに関する意見を頂戴しました。以下意訳です。日本でのALD普及が進まなかった理由として、PVDやCVDと異なりALDは非常に検討することが多く、アプリケーションの要求に合わせて開発しなけ […]

2014/04/22 / 最終更新日時 : 2014/04/22 ALD_Japan 未分類

はじめに。

半導体や液晶などの製膜技術として、PVD (Physical Vapor Deposition, 物理的気相成膜）やCVD (Chemical Vapor Deposition, 化学的気相成膜）が実際の生産ラインで使用 […]

ALD装置のマーケットリポート（英語版）

QY Research社からALD装置のマーケットリポートが出版されているので、報告させて頂きます。ASM社、東京エレクトロン社、アプライドマテリアルズ社、LAMリサーチ社などの半導体産業で有名な装置メーカー、太陽電池パネル用量産機で実績のあるNCD社(韓国)、Leadmicro社（中国）、粉体ALDのForgeNano（米国）なども記載されております。（ただし企業向けリポートなので、お高い。。。）ご興味のある方は下記で確認して見て下さい。

https://www.qyresearch.co.jp/reports/159288/atomic-layer-deposition-equipment-%2528ald%2529

カテゴリー: 半導体、太陽電池、粉体ALD、装置メーカー

2021/11/26 / 最終更新日時 : 2021/11/26 ALD_Japan セミナー

ウェビナー紹介「原子層堆積（ALD）法による薄膜作製技術の基礎と応用・技術トレンド」

北海道大学電子科学研究所の松尾先生がALDに関するLive配信セミナー（Zoom）を行います。

日時: 2021年12月10日(金曜) 13:00〜16:30

https://www.science-t.com/seminar/B211210.html

カテゴリー: セミナー、研究者

2021/10/28 / 最終更新日時 : 2021/10/29 ALD_Japan 未分類

オンラインシンポジウム紹介「原子層堆積技術（ALD）による成膜技術」

産業技術総合研究所 TIA推進センターナノプロセシング施設主催にて、ALD技術全般に関してオンラインシンポジウムが12月22日（水）に開催されます。お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
12:55～13:00　はじめに　多田哲也氏（産業技術総合研究所）
13:00～13:30　「ALDで絶縁膜を形成したMOSFETについて　-III-V族系を中心として-　」後藤高寛氏
13:30-13:50 「Super high-dielectric constant Al2O3/TiO2 nanolaminates deposited by the atomic layer deposition technique」劉江偉氏（Jiangwei LIU）（物質・材料研究機構）
13:50-14:00 「NIMS微細加工共用施設とALD装置のご紹介」津谷大樹氏（物質・材料研究機構　微細加工プラットフォーム）
14:00-14:30 「ALD-酸化チタンを正極材料に用いた結晶シリコン太陽電池の開発」松井卓矢氏（産業技術総合研究所ゼロエミッション国際共同研究センター）
14:30-15:00 「Atomic Layer Deposition (ALD) overview and Introduction of Process Variety」伊藤昌平氏（オックスフォードインスツルメント）
15:00-15:10 「NPFのALD成膜事例と関連する評価・分析技術の紹介」有本宏氏（産業技術総合研究所ナノプロセシング施設NPF）
15:10-15:20 休憩
15:20-15:50「サーマルALD量産プロセスの最適化」佐藤博氏（PICOSUN JAPAN）　
15:50-16:00 「北海道大学の成膜設備（ALD、PLD、スパッタ）紹介」松尾保孝氏（北海道大学電子科学研究所ナノテク連携推進室）　
16:00-16:30 「独自のALD材料を用いた成膜プロセスのご紹介」西田章浩氏（株式会社ADEKA）　
16:30-17:00 「半導体製造用ALD原料に関する研究開発」徐永華氏（トリケミカル研究所）
17:00-17:30 「高純度オゾンを用いた低温ALDバッチプロセスの開発」亀田直人氏（明電ナノプロセス・イノベーション）　

カテゴリー: 未分類

2021/07/21 / 最終更新日時 : 2021/07/21 ALD_Japan 半導体

シンポジウム紹介「選択成長にむけたALD/ALE技術」

CVD反応分科会主催にて、半導体分野で注目を浴びていているエリア選択性ALDとALEに関してオンラインシンポジウムが8月4日（水曜）に開催されます。（Zoom）お申し込みはこちらをご覧下さい。

12:30 開場

13:00～13:05 開会挨拶

13:05～13:55 （基調講演）「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」　

東京大学　霜垣幸浩氏

13:55～14:35 「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」

東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社　伝宝一樹氏

14:35～14:45 休憩

14:45～15:25 「ALD-SiO₂成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」

物質・材料研究機構(NIMS)　生田目俊秀氏

15:25～16:05 「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」

東北大学諏訪智之氏

16:05～16:15 休憩

16:15～17:15 （基調講演）「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社　深沢正永氏

17:15～17:55 「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future Nanoscale-devices」

東北大学　寒川誠二氏

17:55～18:00 閉会挨拶

カテゴリー: 半導体

2021/07/12 / 最終更新日時 : 2021/07/12 ALD_Japan 未分類

ウェビナー紹介「人工光合成の国内外の最新動向と実用化への課題・展望」

弊社販売のAT-410のユーザーでもある産業技術総合研究所の佐山先生が人口光合成に関する配信セミナー（Zoom）を行います。なおALDを使った研究内容はまだ盛り込まれないと思われます。

日時: 2021年7月28日(水曜) 13:00〜16:30

https://www.science-t.com/seminar/B210728.html

カテゴリー: 未分類

2021/06/11 / 最終更新日時 : 2021/06/11 ALD_Japan 未分類

HfO2を使った強誘電体メモリー

HfO2とZrO2をマルチレイヤーで積層して、アニール処理することで作成すると10nmを切っても強誘電体の性能を維持することがドイツの研究者が発見。公開後に世界的に研究がされているこの強誘電体メモリーで、東京大学（高木信一・トープラサートポン・カシディット研究室と竹中充研究室）と富士通セミコンダクターメモリソリューション社の共同研究の成果が発表されました。詳細はこちらを。4nmとかなり薄く、1Vという低電圧で、100兆回使ってもメモリーとしての機能を失わない、現実に利用できる次世代メモリーとして期待されます。

個人的には、nmサイズの圧電素子も出てくるのではないかと期待しております。

カテゴリー: 未分類

2021/05/25 / 最終更新日時 : 2021/06/05 ALD_Japan セミナー

シンポジウム紹介「粉体ALDと電池材料」

CVD反応分科会主催にて、粉体ALDとその応用で注目されているLiイオン電池分野などに関してオンラインシンポジウムが6月8日（火）に開催されます。お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
9:25～9:30　開会挨拶
9:30～10:10　「ALD^x and PALD –Equipment and Process for Atomic Layer Deposition on Powders, Wafers, and Objects」（英語）Staci Moulton氏（Forge Nano社）
10:10～10:50　「Better Batteries: PALD on Anode and Cathode Powders at 6,000 mT/yr and <$0.30/kg」（英語）Daniel Higgs氏（Forge Nano社）
10:50～11:30　「固体電池における粉体表面層の重要性」高田和典氏（物質・材料研究機構エネルギー・環境材料研究拠点）
11:30～12:10　「Thermal-ALDを用いた窒化リン酸リチウム・固体電解質膜の均一形成」柴田聡氏（パナソニック株式会社）
12:10～13:00　休憩
13:00～14:00　「基調講演　室温原子層堆積法の開発と微粒子コーティングへの応用」廣瀬文彦氏（山形大学大学院理工学研究科）
14:00～14:40　「Powder Atomic Layer Deposition: A Materials Supplier Perspective」（英語）Christian Dussarrat氏（Air Liquide社）
14:40～14:45 閉会挨拶