ASD18

Area Selective Deposition Workshop (ASD2018) が米国サウスカロライナ大学で4月29日より5月1日まで開催されます。

先端半導体のリソグラフィーでの機械的精度の問題を超える技術として注目されているArea Selective ALD (別名ASALD、エリアを選択的にALD成膜を行う技術）が単独の議題として話されます。

注：今年後半からサムソン社やTSMC社が最小線幅7nmで生産を開始する予定です。使用されるのは先端EUVリソグラフィー技術で、ステッパーメーカーはオランダのASML社。ただASML社の2017年ロードマップ上では、Overlay=重ね合わせ精度は3nmで、今後も重ね合せ精度<3nm、<2nmと開発して行くとのこと。しかし今後5nm, 3nmと最小線幅が縮小して行く場合、その重ね合わせ精度で、例えば線幅5nmのパターンに対して次に積むパターンが2nmもずれるならば、製品としては全く出来ていない。
そこで、最初の5nmのパターンの上に、リソグラフィーを使用しないで、選択的に膜が成長できるArea Selective ALDで次のパターンを積むことに大いに期待が寄せられています。