ALDを使用した先端半導体デバイス向けナノシート酸化物半導体トランジスタの開発

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治先生と東京大学生産技術研究所の小林正治先生によりIn2O3とGa2O3を原子層堆積したマルチレイヤーで良好な酸化物半導体を見つけられたとのことです。これは先端デバイスでのGate All Around構造で使う半導体で、大いに期待されます。東京大学の発表資料は以下より。

https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/ja/news/4233/