2021/06/11 / 最終更新日時 : 2022/03/30 ALD_Japan 半導体 HfO2を使った強誘電体メモリー HfO2とZrO2をマルチレイヤーで積層して、アニール処理することで作成すると10nmを切っても強誘電体の性能を維持することがドイツの研究者が発見。公開後に世界的に研究がされているこの強誘電体メモリーで、東京大学(高木信 […]