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2020年9月

2020/09/16 / 最終更新日時 : 2020/09/16 ALD_Japan 未分類

ウェビナー紹介「ALD(原子層堆積法)の基礎と応用 -薄膜形成の原理から、最新の応用展開の状況まで -」

東京大学大学院の霜垣先生がALDに関する配信セミナー(配信のみ)を行います。 日時: 2020年10月9日(金曜) 10:30〜16:30 講師: 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣幸浩 氏

最近の投稿

2020/12/09 / 最終更新日時 : 2020/12/09 ALD_Japan セミナー

オンライン講習会紹介「CVD・ALDプロセスの基礎」

弊社も会員になっているCVD反応分科会主催にて、CVDとALDの講習会が12月14日月曜にオンラインで開かれます。(間際の連絡で誠にすみません。)お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
09:30~09:35 開会挨拶 分科会代表 河瀬元明氏
09:35~11:15 「反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析」
        河瀬 元明 氏(京都大学)
11:15~11:45 「CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響」
        羽深 等 氏(横浜国立大学)
11:45~13:15 休憩
13:15~13:45 「量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・  
         開発」
        川上 雅人 氏(東京エレクトロンテクノロジー
                         ソリューションズ(株))
13:45~14:45 「CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と  
         素反応シミュレーションの実例」
        松木 亮 氏(産業技術総合研究所)
14:45~15:15 「CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針」
        町田 英明 氏(気相成長(株))
15:15~15:45 休憩
15:45~17:25 「ALDの基礎と応用用途」
        霜垣 幸浩 氏(東京大学)
17:25~18:25 「MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御」
        杉山 正和 氏(東京大学)
18:25~18:30 閉会挨拶   

カテゴリー
セミナー、研究者
2020/12/03 / 最終更新日時 : 2020/12/03 ALD_Japan セミナー

シンポジウム紹介「[PALD] SUMMIT」

米国ForgeNano主催にて、粉体のALDのシンポジウムが12月9日(水)と10日(木)にオンラインで開かれます。お申し込みはこちらをご覧下さい。
(12月3日現在もプログラムは未発表で、時間も不明です。米国西海岸時間に開催と思われます。)

カテゴリー
セミナー、未分類、粉体ALD
2020/11/17 / 最終更新日時 : 2020/12/03 ALD_Japan ALE

シンポジウム紹介「選択製膜の基礎と応用」

CVD反応分科会主催にて、最近ALDの分野(特に半導体)でも注目を浴びる選択成膜のシンポジウムが開かれます。(間際の連絡ですみません。)お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
13:00~13:05 開会挨拶
13:05~14:05 基調講演「CVD/ALD/選択成長プロセスの開発のカギを握る製膜初期過程の理解と制御」霜垣幸浩氏(東京大学)
14:05~14:45 「いまさら聞けない選択タングステン」大場隆之氏(東京工業大学)
14:45~15:05 休憩
15:05~15:45 「化合物半導体のMOVPEプロセスと選択成長」杉山正和氏(東京大学)
15:45~16:15 「選択製膜への挑戦と課題」東雲秀司氏(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社)
16:15~16:35 休憩
16:35~17:15 「ナノカーボンのCVD選択成長とデバイス応用」前橋健三氏(東京農工大学)
17:15~17:55 「表面素反応からみた薄膜成長プロセス」吉信淳氏(東京大学)
17:55~18:00 閉会挨拶

シンポジウムオーガナイザー
 築根敦弘氏(太陽日酸株式会社)
 三宅雅人氏(奈良先端科学技術大学大学院)
 川上雅人氏(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社)
 森伸介氏(東京工業大学)

カテゴリー
ALE、MLD、セミナー、半導体、装置メーカー
2020/10/24 / 最終更新日時 : 2020/11/06 ALD_Japan ALE

書籍紹介「初めての半導体エッチング技術」

本日10月24日に技術評論社より改訂版『初めての半導体エッチング技術』が発売されました。私が勝手に尊敬している野尻一男氏とお話して感じるのは、丁寧な口調の中に厳しさも匂わせた方です。先端半導体の話は中々表に(特に最近の日本では)出てこないですが、「現場」にいた人の話はいつも面白いです。(私も購入します(笑)。)

カテゴリー
ALE、研究者
2020/10/21 / 最終更新日時 : 2020/10/21 ALD_Japan Know-How

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治先生

10月20日行われた浦岡先生のウェビナーを受講しました。他の成膜技術との比較、ALDの歴史から用途、特に半導体や太陽電池などの具体的な概説が分かりやすいものでした。有償セミナーでしたので詳細は割愛しますが、一つだけご紹介したいことがあります。(浦岡先生のご承諾済み)

Al2O3用のプリカーサー:DMAH(ジメチルアルミニウムハイドライド)というものです。TMAがメチル基3個ついているのに対して、DMAHでは3つのメチル基のうち一つが水素基になっています。これにより残留カーボンが低減し、TMAより良質なAl2O3膜を形成できるそうです。大量生産されているプリカーサーの置き換えは簡単ではないながら、高付加価値のデバイスでは採用が進むかもしれません。ご興味のある方は浦岡先生にコンタクトしてみてはいかがでしょうか?

カテゴリー
Know-How、セミナー、半導体、研究者
2020/10/13 / 最終更新日時 : 2020/10/13 ALD_Japan 未分類

ウェビナー紹介「ALD(原子層堆積)技術の基礎と応用 」

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡先生がALDに関する配信セミナー(配信のみ)を行います。

日時: 2020年10月20日(火曜) 13:30〜16:30

講師: 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授 浦岡 行治氏

ALD(原子層堆積)技術の基礎と応用
カテゴリー
未分類
2020/09/16 / 最終更新日時 : 2020/09/16 ALD_Japan 未分類

ウェビナー紹介「ALD(原子層堆積法)の基礎と応用 -薄膜形成の原理から、最新の応用展開の状況まで -」

東京大学大学院の霜垣先生がALDに関する配信セミナー(配信のみ)を行います。

日時: 2020年10月9日(金曜) 10:30〜16:30

講師: 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣幸浩 氏

ALD(原子層堆積法)の基礎と応用(1日コース)  ~ 薄膜形成の原理から、最新の応用展開の状況まで ~
カテゴリー
未分類
2020/07/08 / 最終更新日時 : 2020/07/08 ALD_Japan ALD 国際学会 ALE

JVST A 2019 Best ALD Paper

2019年10月に発表されたのですが、芝浦工業大学の前田瑛里香氏(清野肇研究室、共同研究機関:物質・・材料研究機構)が Journal of Vacuum Science & Technologyの昨年のベストペーパーに選ばれました。日本勢の活躍が少ないので、とても嬉しく思います。

タイトル:Correlation between SiO2 growth rate and difference in electronegativity of metal–oxide underlayers for plasma enhanced atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane precursor

著者:Erika Maeda1,2,a),  Toshihide Nabatame, Masafumi Hirose, Mari Inoue,  Akihiko Ohi,  Naoki Ikeda, and Hajime Kiyono

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ALD 国際学会 ALE、半導体、研究者
2020/06/24 / 最終更新日時 : 2020/07/08 ALD_Japan ALD 国際学会 ALE

修正 ALD/ALE 2020 バーチャルミーテングの時間

大変失礼しました。前回このバーチャルミーティングの日程を記載したもの、ヨーロッパの時間かと勘違いしましたが、米国の東海岸の時間でした。日本時間は深夜から早朝にかけて。日程時間に13時間加えて下さい。Committee memberのErwin Kessels先生と確認をとりました。

カテゴリー
ALD 国際学会 ALE
2020/06/22 / 最終更新日時 : 2020/06/24 ALD_Japan ALD 国際学会 ALE

ALD/ALE 2020 バーチャルミーテング

キャンセルとはなりましたが、6月29日から7月1日にバーチャルミーティングが行われます。以下そのプログラム内容になります。登録画面

6月29日 月曜 朝 (無償)

下記の時間は全て米国東海岸の時間帯です。(日本時間は深夜から早朝にかけて。下記の時間に13時間加えて下さい。録音したものも視聴可能ですので、リアルタイムでの参加でなくとも視聴可能です。)

10:00 総会&ALDイノベーションアワードセッション 歓迎挨拶 C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

10:15 (招待講演)ALDイノベーションアワードセッション受賞者 MIKKO RITALA(フィンランド、ヘルシンキ大学)

10:30: (招待講演)未来のナノエレクトロニクスを可能にする選択的原子スケールプロセス(米国、TEL Technology Center America)

11 :00 (招待講演)ディスプレー産業におけるALD技術の最初の用途(韓国、LG Display)

11 :30 (招待講演)触媒用粉体へのALD(ドイツ、BASF SE)

12:00 (招待講演)アトミックレイヤーエッチング(ALE)- その舞台裏(米国、Lam Research)

12:30 JVST ベストペーパー、閉会の辞、スポンサーへの謝辞C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

6月30日 火曜 朝

10:00 歓迎挨拶と紹介 歓迎挨拶 C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

10:15 (招待講演)非酸化還元剤を使った新規メタル膜の熱式ALD(米国、Wayne 州立大学)

10:45 混合:ALDによる2次元Mo1-xWx-S2合金での元素配列の調整方法(オランダ、アイントホーフェン工科大学)

11:00 EDOTとReCl5プリカーサーを使った導電性PEDOT 薄膜形成(フィンランド、ヘルシンキ大学)

11:30 ハロゲン化したアモルファスカーボンのローカル表面改質に基づくレジストを使わないリソグラフィー(ベルギー、ルーベン・カトリック大学/IMEC)

11:45 MLDにより成長させた新規薄膜で機能性を持たせた模倣キチンとキトサン種(スペイン、CIC nanoGUNE BRTA)

12:00閉会の辞、スポンサーへの謝辞C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

6月30日 火曜 午後 チュートリアル

13:00 歓迎挨拶と紹介 歓迎挨拶 C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

13:15 (招待講演)ALDプリカーサー化学: プリカーサーの合成過程、精製と評価方法(ドイツ、ルール大学ボーヘム)

14:15 (招待講演)アトミックレイヤー工学:ALDシステム設計とプロセス開発のためのハードウエアの考察(米国、ミシガン大学)

15:15 (招待講演)高アスペクト比とナノ構造材料に関するALD: 原理から商業化まで(米国、Argonne National Lab)

16:00 Q&Aタイム 上記講師陣

7月1日 水曜 朝

10:00 歓迎挨拶と紹介 C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

10:15 (招待講演)ガスクラスターイオン衝突で誘導したメタルとジケトン間の表面反応(日本、兵庫県立大学)

10:45 ALE受賞者

11:15 成膜とエッチングを同時に行うことによるメタルMo膜の超コンフォーマルなALD(ドイツ、EMD Performance Materials (Merck group))

12:15 マシーンラーニングを使ったALDの最適化(米国、Argonne National Lab)

12:30 ALD/ALE学生表彰、閉会の辞、スポンサーへの謝辞C. DETAVERNIER (ベルギー、ゲント大学)

7月1日 水曜 午後 チュートリアル

13:00 歓迎挨拶と紹介 歓迎挨拶 Erwin Kessels(オランダ、アイントホーフェン工科大学)

13:15 (招待講演)ALD中における成長メカニズムと選択性(ベルギー、ルーベン・カトリック大学)

14:15 (招待講演)材料プロセスの原子レベルの制御のための自己制御表面反応(米国、Schrodinger社)

15:15 (招待講演)ALEの基礎(米国、ミシガン大学)

16:00 Q&Aタイム 上記講師陣

  • End

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