応用物理学会秋季学術講演会の中で、ALDやALEに関するシンポジウムが開催されます。(弊社もスポンサーをさせて頂きます。)
日時: 2019年9月20日(金曜) 13:30〜18:00
場所: 北海道大学 N304
プログラム
13:30～14:00 「ALDプロセス開発の課題とデータサイエンスへの期待」
霜垣幸浩氏（東京大学大学院）
14:00～14:30 「マテリアルズインフォマティクスの視点からみたALDとALE」
知京豊裕氏、木野日織氏（物質・材料研究機構）
14:30～15:00 「原子層成膜プロセスの次世代制御手法」
光成正 氏、佐藤寿樹氏、鈴木悠介氏、菊地貴倫氏、加賀谷宗仁氏、森定佳紀氏、米道仁史氏、茂木弘典氏、守屋剛氏（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ、名古屋大学低温プラズマ科学研究センター、東京エレクトロン）
15:00～15:30 「室温原子層堆積法の開発とガスバリア応用」
鹿又健作氏、三浦正範氏、廣瀬文彦氏（山形大学大学院理工、山形大学有機システム）
15:30～15:45 休憩
15:45～16:15 「ビーム実験による原子層プロセス反応解析」
唐橋一浩氏、伊藤智子氏、浜口智志氏 （大阪大学大学院）
16:15～16:30 「acac吸着表面へのAr-GCIB照射によるNiの原子層エッチング」
植松功多氏、豊田紀章氏（兵庫県立大学工学）
16:30～16:45 「Arイオン照射窒化ガリウム表面の塩素吸着層のイオンエネルギー依存性」
長谷川将希氏、堤隆嘉氏、近藤博基氏、関根誠氏、石川健治氏、堀勝氏（名古屋大学大学院、名古屋大学低温プラズマ科学研究センター）
16:45～17:15 「表面反応制御による高選択Confirmal ALE」
伊藤勝氏（日立ハイテクノロジーズ）
17:15～17:30 「SiNxのALE におけるフッ素ラジカルのIn-situエッチング反応解析」
中根一也氏、リネイ ヘリンカス氏、ヨセフ フェーフィート氏、堤隆嘉氏、小林伸好氏、堀勝氏（名古屋大学大学院、日本エー・エス・エム、名古屋大学低温プラズマ科学研究センター）
17:30～17:45 「SiN Atomic Layer Etching表面状態の変動解析」
平田瑛子氏、深沢正永氏、針宮克尚氏、長岡弘二郎氏、唐橋一浩氏、浜口智志氏（ソニーセミコンダクタソリューションズ、大阪大学大学院）
