プログラム
09:30～09:35　開会挨拶　分科会代表　河瀬元明氏
09:35～11:15　「反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析」
　　　　　　　　河瀬元明氏（京都大学）
11:15～11:45　「CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響」
　　　　　　　　羽深等氏（横浜国立大学）
11:45～13:15　休憩
13:15～13:45　「量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・
　　　　　　　　　開発」
　　　　　　　　川上雅人氏（東京エレクトロンテクノロジー
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ソリューションズ(株)）
13:45～14:45　「CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と
　　　　　　　　　素反応シミュレーションの実例」
　　　　　　　　松木亮氏（産業技術総合研究所）
14:45～15:15　「CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針」
　　　　　　　　町田英明氏（気相成長(株)）
15:15～15:45　休憩
15:45～17:25　「ALDの基礎と応用用途」
　　　　　　　　霜垣幸浩氏（東京大学）
17:25～18:25　「MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御」
　　　　　　　　杉山正和氏（東京大学）
18:25～18:30　閉会挨拶　　

カテゴリー: セミナー、研究者

2020/12/03 / 最終更新日時 : 2020/12/03 ALD_Japan セミナー

シンポジウム紹介「[PALD] SUMMIT」

米国ForgeNano主催にて、粉体のALDのシンポジウムが12月９日（水）と10日（木）にオンラインで開かれます。お申し込みはこちらをご覧下さい。
（12月3日現在もプログラムは未発表で、時間も不明です。米国西海岸時間に開催と思われます。）

カテゴリー: セミナー、未分類、粉体ALD

2020/11/17 / 最終更新日時 : 2020/12/03 ALD_Japan ALE

シンポジウム紹介「選択製膜の基礎と応用」

CVD反応分科会主催にて、最近ALDの分野（特に半導体）でも注目を浴びる選択成膜のシンポジウムが開かれます。（間際の連絡ですみません。）お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
13:00～13:05　開会挨拶
13:05～14:05　基調講演「CVD/ALD／選択成長プロセスの開発のカギを握る製膜初期過程の理解と制御」霜垣幸浩氏（東京大学）
14:05～14:45　「いまさら聞けない選択タングステン」大場隆之氏（東京工業大学）
14:45～15:05　休憩
15:05～15:45　「化合物半導体のMOVPEプロセスと選択成長」杉山正和氏（東京大学）
15:45～16:15　「選択製膜への挑戦と課題」東雲秀司氏（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社）
16:15～16:35　休憩
16:35～17:15　「ナノカーボンのCVD選択成長とデバイス応用」前橋健三氏（東京農工大学）
17:15～17:55　「表面素反応からみた薄膜成長プロセス」吉信淳氏（東京大学）
17:55～18:00 閉会挨拶

シンポジウムオーガナイザー
　築根敦弘氏（太陽日酸株式会社）
　三宅雅人氏（奈良先端科学技術大学大学院）
　川上雅人氏（東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社）
　森伸介氏（東京工業大学）

カテゴリー: ALE、MLD、セミナー、半導体、装置メーカー

2020/10/24 / 最終更新日時 : 2020/11/06 ALD_Japan ALE

書籍紹介「初めての半導体エッチング技術」

本日10月24日に技術評論社より改訂版『初めての半導体エッチング技術』が発売されました。私が勝手に尊敬している野尻一男氏とお話して感じるのは、丁寧な口調の中に厳しさも匂わせた方です。先端半導体の話は中々表に（特に最近の日本では）出てこないですが、「現場」にいた人の話はいつも面白いです。（私も購入します（笑）。）

カテゴリー: ALE、研究者

2020/10/21 / 最終更新日時 : 2020/10/21 ALD_Japan Know-How

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治先生

10月20日行われた浦岡先生のウェビナーを受講しました。他の成膜技術との比較、ALDの歴史から用途、特に半導体や太陽電池などの具体的な概説が分かりやすいものでした。有償セミナーでしたので詳細は割愛しますが、一つだけご紹介したいことがあります。（浦岡先生のご承諾済み）

Al2O3用のプリカーサー：DMAH（ジメチルアルミニウムハイドライド）というものです。TMAがメチル基３個ついているのに対して、DMAHでは３つのメチル基のうち一つが水素基になっています。これにより残留カーボンが低減し、TMAより良質なAl2O3膜を形成できるそうです。大量生産されているプリカーサーの置き換えは簡単ではないながら、高付加価値のデバイスでは採用が進むかもしれません。ご興味のある方は浦岡先生にコンタクトしてみてはいかがでしょうか？