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2018年9月

2018/09/25 / 最終更新日時 : 2019/05/27 ALD_Japan セミナー

講習会紹介「CVD・ALDプロセスの基礎」

反応工学部会CVD反応分科会が主催されるCVDとALDの講習会が開催されます。日時: 2018年10月31日(水曜) 10:00〜18:00 場所: 東京大学　本郷キャンパス武田先端知ビル５F　武田ホール講師 ①京都 […]

2018/09/20 / 最終更新日時 : 2019/05/27 ALD_Japan 太陽電池

太陽電池へのALDの使用例

名古屋大学の黒川康良先生より論文を２つ頂きました。 ① MRS ナノワイヤーを使った太陽電池のご研究で、ナノワイヤーをALDのTiO2とAl2O3で被覆させております。MRS_Advances_掲載版 ② WC […]

2018/09/13 / 最終更新日時 : 2018/09/13 ALD_Japan セミナー

講習会の紹介「CVD・ALDプロセスの基礎」

反応工学部会CVD反応分科会が主催されるCVD/ALDの講習会が開催されます。日時: 2018年10月31日(水曜) 10:00〜18:00 場所: 東京大学　本郷キャンパス武田先端知ビル5F武田ホールタイトル：「C […]

2021/08/27 / 最終更新日時 : 2021/08/27 ALD_Japan 未分類

ウェビナー紹介「ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング（ALE）の最新技術動向」

ALE学会でもご活躍の大阪大学浜口先生がセミナーを行います。

日時: 2021年8月30日(月曜) 10:30〜16:30

https://www.science-t.com/seminar/B210830.html

カテゴリー: 未分類

2021/07/21 / 最終更新日時 : 2021/07/21 ALD_Japan 半導体

シンポジウム紹介「選択成長にむけたALD/ALE技術」

CVD反応分科会主催にて、半導体分野で注目を浴びていているエリア選択性ALDとALEに関してオンラインシンポジウムが8月4日（水曜）に開催されます。（Zoom）お申し込みはこちらをご覧下さい。

12:30 開場

13:00～13:05 開会挨拶

13:05～13:55 （基調講演）「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」　

東京大学　霜垣幸浩氏

13:55～14:35 「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」

東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社　伝宝一樹氏

14:35～14:45 休憩

14:45～15:25 「ALD-SiO₂成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」

物質・材料研究機構(NIMS)　生田目俊秀氏

15:25～16:05 「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」

東北大学諏訪智之氏

16:05～16:15 休憩

16:15～17:15 （基調講演）「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社　深沢正永氏

17:15～17:55 「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future Nanoscale-devices」

東北大学　寒川誠二氏

17:55～18:00 閉会挨拶

カテゴリー: 半導体

2021/07/12 / 最終更新日時 : 2021/07/12 ALD_Japan 未分類

ウェビナー紹介「人工光合成の国内外の最新動向と実用化への課題・展望」

弊社販売のAT-410のユーザーでもある産業技術総合研究所の佐山先生が人口光合成に関する配信セミナー（Zoom）を行います。なおALDを使った研究内容はまだ盛り込まれないと思われます。

日時: 2021年7月28日(水曜) 13:00〜16:30

https://www.science-t.com/seminar/B210728.html

カテゴリー: 未分類

2021/06/11 / 最終更新日時 : 2021/06/11 ALD_Japan 未分類

HfO2を使った強誘電体メモリー

HfO2とZrO2をマルチレイヤーで積層して、アニール処理することで作成すると10nmを切っても強誘電体の性能を維持することがドイツの研究者が発見。公開後に世界的に研究がされているこの強誘電体メモリーで、東京大学（高木信一・トープラサートポン・カシディット研究室と竹中充研究室）と富士通セミコンダクターメモリソリューション社の共同研究の成果が発表されました。詳細はこちらを。4nmとかなり薄く、1Vという低電圧で、100兆回使ってもメモリーとしての機能を失わない、現実に利用できる次世代メモリーとして期待されます。

個人的には、nmサイズの圧電素子も出てくるのではないかと期待しております。

カテゴリー: 未分類

2021/05/25 / 最終更新日時 : 2021/06/05 ALD_Japan セミナー

シンポジウム紹介「粉体ALDと電池材料」

CVD反応分科会主催にて、粉体ALDとその応用で注目されているLiイオン電池分野などに関してオンラインシンポジウムが6月8日（火）に開催されます。お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
9:25～9:30　開会挨拶
9:30～10:10　「ALD^x and PALD –Equipment and Process for Atomic Layer Deposition on Powders, Wafers, and Objects」（英語）Staci Moulton氏（Forge Nano社）
10:10～10:50　「Better Batteries: PALD on Anode and Cathode Powders at 6,000 mT/yr and <$0.30/kg」（英語）Daniel Higgs氏（Forge Nano社）
10:50～11:30　「固体電池における粉体表面層の重要性」高田和典氏（物質・材料研究機構エネルギー・環境材料研究拠点）
11:30～12:10　「Thermal-ALDを用いた窒化リン酸リチウム・固体電解質膜の均一形成」柴田聡氏（パナソニック株式会社）
12:10～13:00　休憩
13:00～14:00　「基調講演　室温原子層堆積法の開発と微粒子コーティングへの応用」廣瀬文彦氏（山形大学大学院理工学研究科）
14:00～14:40　「Powder Atomic Layer Deposition: A Materials Supplier Perspective」（英語）Christian Dussarrat氏（Air Liquide社）
14:40～14:45 閉会挨拶

シンポジウムオーガナイザー
　下山　裕介氏（東京工業大学　物質理工学院）
　野田　優氏（早稲田大学　理工学術院）
　百瀬　健氏（東京大学　工学系研究科）
　百瀬　渉（ALDジャパン）

カテゴリー: セミナー、その他、粉体ALD、装置メーカー

2021/05/25 / 最終更新日時 : 2021/05/25 ALD_Japan ALD 国際学会　ALE

ALD/ALE 2021 バーチャルミーテング

今年もバーチャルになりましたが、6月27日から開催されるALD/ALE2021のテクニカルプログラム（英語）が公開されました。

カテゴリー: ALD 国際学会　ALE

2021/04/01 / 最終更新日時 : 2021/04/01 ALD_Japan セミナー

ウェビナー紹介「ALD（原子層堆積）技術の基礎と応用」

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡先生がALDに関する配信セミナー（Zoom）を行います。

日時: 2021年4月16日(金曜) 13:30〜17:30

https://johokiko.co.jp/seminar_chemical/AD210406.php

カテゴリー: セミナー、研究者

2021/03/02 / 最終更新日時 : 2021/04/01 ALD_Japan セミナー

ウェビナー紹介「ALD(原子層堆積法)の基礎と高品質膜化および最新動向」

東京大学大学院の霜垣先生がALDに関する配信セミナー（配信のみ）を行います。

日時: 2021年3月29日(月曜) 10:00〜17:00

講師: 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻教授　霜垣幸浩氏

https://tech-seminar.jp/seminar/2021-03-29-ALD-原子層堆積法-の基礎と高品質膜化および最新動向

カテゴリー: セミナー、研究者

2021/02/09 / 最終更新日時 : 2021/04/01 ALD_Japan セミナー

ウェビナー紹介「ALD（原子層堆積）技術の基礎と最新動向」

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡先生がALDに関する配信セミナー（配信のみ、Zoom）を行います。

日時: 2021年2月26日(金曜) 10:30〜16:30

講師: 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科　教授　浦岡行治氏

ALD（原子層堆積）技術の基礎と最新動向

カテゴリー: セミナー、研究者

2020/12/09 / 最終更新日時 : 2020/12/09 ALD_Japan セミナー

オンライン講習会紹介「CVD・ALDプロセスの基礎」

弊社も会員になっているCVD反応分科会主催にて、CVDとALDの講習会が12月14日月曜にオンラインで開かれます。（間際の連絡で誠にすみません。）お申し込みはこちらをご覧下さい。

プログラム
09:30～09:35　開会挨拶　分科会代表　河瀬元明氏
09:35～11:15　「反応速度論とCVDプロセスの反応速度解析」
　　　　　　　　河瀬元明氏（京都大学）
11:15～11:45　「CVD反応器の形状と操作が製膜速度分布・膜質に及ぼす影響」
　　　　　　　　羽深等氏（横浜国立大学）
11:45～13:15　休憩
13:15～13:45　「量産対応CVD装置の概要とシミュレーションを活用した設計・
　　　　　　　　　開発」
　　　　　　　　川上雅人氏（東京エレクトロンテクノロジー
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ソリューションズ(株)）
13:45～14:45　「CVDにおける素反応の量子化学計算の方法と
　　　　　　　　　素反応シミュレーションの実例」
　　　　　　　　松木亮氏（産業技術総合研究所）
14:45～15:15　「CVD・ALD原料の特性と原料選択の指針」
　　　　　　　　町田英明氏（気相成長(株)）
15:15～15:45　休憩
15:45～17:25　「ALDの基礎と応用用途」
　　　　　　　　霜垣幸浩氏（東京大学）
17:25～18:25　「MOVPEによる化合物半導体成長における製膜速度分布の制御」
　　　　　　　　杉山正和氏（東京大学）
18:25～18:30　閉会挨拶　　

カテゴリー: セミナー、研究者