2019年4月4日から5日までのASD2019のプログラムを翻訳しました。
ASD = Area Selective Deposition = エリア選択成膜のことで、主にALD技術を利用して、特定エリア(下地)にのみ膜を成長させる技術です。

4月4日(木曜)

概要
9:00 (招待講演)配線パターン解決へのエリア選択成膜の挑戦と機会(ベルギー、IMEC)

成膜/エッチとモデリング
9:30(招待講演)選択的プロセスの大量生産へ向けた挑戦と機会(米国、LAM リサーチ社)
10:00 (招待講演)成膜/エッチングを合わせたASD(Area Selective Deposition)プロセス時のモデリングと選択性の消失(米国、ノースカロライナ州立大学)
11:00  選択性>10nmを得るためのエッチングステップを挟んだ空間式ALDに基づいたSiO2のエリア選択成膜(オランダ、TNO – Holst Centre)
11:15 ALDと選択的エッチングを組み合わせたASD: Ruの概念実証(オランダ、アイントホーフェン工科大学)

触媒とメタル
11:30 (招待講演)RuO4プリカーサーを使用したRuのALD中での化学的選択と核形成(ベルギー、Ghent大学)
12:00 エリア選択ALDによる2元金属ナノ複合材触媒と応用(中国、華中科技大学)
12:15 走査型電子顕微鏡内でのリアルタイムエリア選択ALD(オランダ、Delft工科大学)

ポスターセッション
P1: EUV複雑反射光測定によるプローブ材料と界面 (米国, コロラド大学ボルダー校)
P2: SiNxとAl2O3上へのSiの選択的PECVDの研究 (フランス, LPICM-CNR, Ecole Polytechnique)
P3: 水素ラジカルを使用したアモルファスカーボン改質によるRuのエリア選択ALD(ベルギー, KU Leuven)
P4: ハイパワー変換効率のためのマイクロ太陽電池のエリア選択ALD (ルクセンブルク, ルクセンブルク大学)
P5: 一次元TiO2ナノチューブ膜– エリア選択ALDのための優れたプラットフォーム(チェコ共和,University of Pardubice)
P6: ASD用途に使うポリマーブラシ膜の制御成膜(アイルランド、ダブリン大学トリニティカレッジ)
P7: エリア選択ALDのための革新的技術(中国, 蘇州ナノテクノロジー・ナノテクバイオ研究所SINANO)
P8: Ptナノパーティクル上へのFeOxの選択ALD成長に関する理論的及び実験的な研究(中国、華中科技大学)
P9: SiC上にエピタキシャル成長して作成した単層グラフェンの上へ選択的核成長によるAl2O3絶縁膜のシード層不要のALD成長(イタリア、CNR-IMM Catania)
P10: ポリ(2-ビニルピリジン)ポリマー膜への金属塩拡散により形成したAlxOyやCuxOyの角度分解硬X線光電子分光(HAXPES)分析(メキシコ、ファレス市自治大学)
P11: ASDのための水蒸気輸送の精密制御(米国, RASIRC社)
P12: ALDやASDでの低エネルギーイオン拡散分析(ドイツ、IONTOF社)

自己組織化モノレイヤー(SAM)1
14:15 (招待講演)自己配列プロセスにおける材料設計– エリア選択成膜の潜在的統合(米国、IBM Almaden研究所)
14:45 密度汎関数理論(density functional theory)により検証したCu上のアルカンチオール自己組織化モノレイヤーの構造相(ベルギー、KU Leuven)
15:00 DoD (Dielectric on Dielectric, 絶縁物の上に絶縁物) ASDのための気相チオール自己組織化モノレイヤー(ベルギー、IMEC)
15:15  パターニングとしての自己配列に使用するALDと有機膜パッシベーションの組合せによるDoD ASD(ベルギー、KU Leuven)

自己組織化モノレイヤー(SAM)2
16:00 (招待講演)金属や結晶質膜のための、エリア選択ALD中の2元や3元酸化膜やメタル膜の核形成(米国、テキサス大学Austin校)
16:30 エリア選択ボトムアップメタリゼーション体系におけるALD-Ru成長阻害物質としてのSAM(ベルギー、KU Leuven)
16:45 (3-トリメトキシシリルプロピル)ジエチレントリアミン(DETA)自己組織化モノレイヤー上への酸素原子の影響(アイルランド、ダブリン市立大学)

4月5日(金曜)

その他の阻害物質
9:00 (招待講演)パターン形成用途の選択的成膜への要求項目(米国、アプライドマテリアルズ社)
9:30 (招待講演)表面反応が決定するパターニングテクノロジー(韓国、仁川大学)
10:00 阻害物質分子によるプリカーサーブロッキングのメカニズム(オランダ、アイントホーフェン工科大学)
10:15 H終端SiとSi/SiO2基板上でのPE-ALDのよるHfO成長の初期段階での低エナジー基板バイアスの影響(フランス、グルノーブルアルプス大学)

先端材料とプロセス
11:00 (招待講演)選択的成膜での進展と挑戦(米国、TELテクノロジーセンターアメリカ)
11:30 エリア選択成膜– 3次元基板上でプラズマがどのように階層分布的に選択的成膜を好むのか?(フランス、グルノーブルアルプス大学)
11:45 (招待講演)選択的酸化膜やメタルの成膜のためのICP(誘導結合プラズマ)を用いたポリマライズCFx阻害物質膜(米国、コネチカット大学)
12:15 浸透したポリマーからの金属酸化膜の形成とリアルタイムな条件出し(アイルランド、ダブリン市立大学)
12:30 ALDでコーティングした基板へのダイヤモンドの選択的エリア成長(ベルギー、ハッセルト大学)

欠陥制御
14:00 (招待講演)選択的エピタキシャル成長(オランダ、ASM)
14:30 RuのASD中での欠陥緩和のための表面拡散(ベルギー、KU Leuven)
14:45 (招待講演)エリア選択成膜プロセスの条件出しに使うスキャッタロメトリ(光散乱計測)法とAFM測定の組合せ(ベルギー、IMEC)
15:15 まとめ

原典 : ASD2019 サイト

誤訳誤字脱字などあるかと存じます。その場合ご容赦ください。