シンポジウム紹介「選択成長にむけたALD/ALE技術」

CVD反応分科会主催にて、半導体分野で注目を浴びていているエリア選択性ALDとALEに関してオンラインシンポジウムが8月4日(水曜)に開催されます。(Zoom)お申し込みはこちらをご覧下さい。

12:30                 開場

13:00~13:05     開会挨拶

13:05~13:55     (基調講演)「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」 

東京大学 霜垣 幸浩 氏

13:55~14:35     「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」

東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社 伝宝 一樹 氏

14:35~14:45     休憩

14:45~15:25           「ALD-SiO2成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」

物質・材料研究機構(NIMS) 生田目 俊秀 氏

15:25~16:05     「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」

東北大学  諏訪 智之 氏

16:05~16:15     休憩

16:15~17:15     (基調講演)「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 深沢 正永 氏

17:15~17:55     「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future Nanoscale-devices」

東北大学 寒川 誠二 氏

17:55~18:00     閉会挨拶