シンポジウム紹介「選択成長にむけたALD/ALE技術」

CVD反応分科会主催にて、半導体分野で注目を浴びていているエリア選択性ALDとALEに関してオンラインシンポジウムが8月4日（水曜）に開催されます。（Zoom）お申し込みはこちらをご覧下さい。

12:30                 開場

13:00～13:05     開会挨拶

13:05～13:55     （基調講演）「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」　

東京大学　霜垣 幸浩 氏

13:55～14:35     「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」

東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社　伝宝 一樹 氏

14:35～14:45     休憩

14:45～15:25           「ALD-SiO₂成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」

物質・材料研究機構(NIMS)　生田目 俊秀 氏

15:25～16:05     「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」

東北大学  諏訪 智之 氏

16:05～16:15     休憩

16:15～17:15     （基調講演）「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社　深沢 正永 氏

17:15～17:55     「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future Nanoscale-devices」

東北大学　寒川 誠二 氏

17:55～18:00     閉会挨拶