シンポジウム紹介「選択成長にむけたALD/ALE技術」
CVD反応分科会主催にて、半導体分野で注目を浴びていているエリア選択性ALDとALEに関してオンラインシンポジウムが8月4日(水曜)に開催されます。(Zoom)お申し込みはこちらをご覧下さい。
12:30 開場
13:00~13:05 開会挨拶
13:05~13:55 (基調講演)「選択成長プロセスのメカニズムと高選択性確保への指針」
東京大学 霜垣 幸浩 氏
13:55~14:35 「PEALDでの不均一な成膜分布から学ぶTiの成膜機構と選択成膜へのヒント」
東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社 伝宝 一樹 氏
14:35~14:45 休憩
14:45~15:25 「ALD-SiO2成長を決める下地酸化物材料の電気陰性度」
物質・材料研究機構(NIMS) 生田目 俊秀 氏
15:25~16:05 「成膜工程と連動した基板表面処理と表面イニシャライズ」
東北大学 諏訪 智之 氏
16:05~16:15 休憩
16:15~17:15 (基調講演)「Atomic Layer Etchingの現状と今後の展望」
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 深沢 正永 氏
17:15~17:55 「Atomic Layer Defect-free Etching Processes for Future Nanoscale-devices」
東北大学 寒川 誠二 氏
17:55~18:00 閉会挨拶