講演会紹介：テーマ「新無機半導体材料と製膜方法」
急なお話になりますが、今週金曜日に東京大学の霜垣先生がALDの解説をされます。
日時: 2017年1月27日(金曜) 13:00〜16:40
場所: 東京・アイビーホール青学会館
〒150-0002 東京都渋谷区渋谷4-4-25 （03-3409-8181）
（地図：http://www.ivyhall.jp/access.html）
主催：日本学術振興会第166委員会（透明酸化物光・電子材料）
13:00～13:05 あいさつ 神谷利夫 (166委員会委員長)
13：05～13:45 「ALDプロセスの理想と現実～プロセス開発の要点」
霜垣 幸浩 (東京大学 )
13：45～14:25 「高機能ALD装置への取り組み」
田口 俊彰 (オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社)
14:25～14：45 企業委員講演
リンテック「印刷技術を用いたエレクトロクロミック(仮題)」
14:45～15：15 学界委員関係 若手研究者講演
賈 軍軍 青山学院大学 助教
「In2O3(ZnO)m薄膜の熱電特性及び評価方法」
大澤 健男 物質・材料研究機構
「ドメインを導入したBaTiO3単結晶の異方的電気伝導性と局所電子状態」
15:15～15:45 休憩
15：45～16:25 「酸窒化物半導体薄膜の成長」
長谷川 哲也 (東京大学)
16：25～17:05 「アニオン置換によるＳｎＳのｎ型伝導」
柳 博 (山梨大学)
17:05～17：35 学界委員関係 若手研究者講演
Junghwan Kim
東京工業大学 元素戦略研究センター 助教
「新規アモルファス酸化物の開発および新たな応用開拓」
曹祥
中部大学 大学院 工学部 応用化学科
「Preparation and Characterization of Earth-Abundant Element Based Nitride Semiconductor: ZnSnN2」
