ALD2015 Preview その４
7月1日（3日目）
成膜材料 アプリケーション 備考
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< ALD成長と個別化 ＞
AlP ? プラズマ
SrTiO2 DRAMキャパシター {Sr(demamp)(tmhd)}
InN ? プラズマ
GaN LED/パワーデバイス 電子支援（電子ビーム？）
Nb-TiO2 透明導電膜
SiO2 ? Di-sec-butylaminosilane & オゾン
High-k ? グラフェン上
KxNa(1-x)NbO3 ?
BN ? Atomic Layer Epitaxy
TiO2/Al2O3 LED/パワーデバイス
SiOx/SiNx ?
? ? Electrochemical ALD (“E-ALD”)
SiNx ?
Pt ?
? プリンテッドエレクトロニクス ”SALD” ??
LaOx ?
? バリアー層 大気圧プラズマ
Ru ?
NiTiO3 ? エピタキシャル
H-In2O3 ?
フッ化金属 ? 金属プレカーサーとHF
酸化金属 ? ポリメチルメタンアクレートテンプレートを使用したナノ構造物形成
Cu and CuOx ? Copper (II) Acetylacetonate
FeOx ? 低温、H2Oプレカーサ
BaO & BaTiO3 半導体
TiO2 Titanium Tetraisopropoxide / 水
成膜材料 アプリケーション 備考
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< 新規物質 ＞
Tincone 透明導電膜? MLD, SnO2/C
? ? メタル含有酸化グラフェンメンブレン
? 触媒 触媒の安定化
< ナノ構造 ＞
– テンプレート支援のGaNナノ構造体形成（ホローカソードプラズマ）
– 炭素質材テンプレートを使用したナノポーラスPtや酸化金属の作成
– シングル電子トランジスターのためのALD-SiO2/Al2O3
– エリア選択ALD-Co
– 高アスペクトTiO2 やSiO2ナノ構造グレーティング
– エリア選択ALD-ZnO
– WSe2の合成
– ZnOナノワイヤー
– TiN/HfO2
– TiO2, SiO2, Al2O3 を使ったナノチューブ、ナノコーン、ナノチューブネットワーク
– エリア選択ALD
< 量産技術 >
– ガス流れの種々条件下での広い表面積をカバーするALD
– ３次元NAND Flash用の高アスペクト比構造用のALD-LaOx/LaAlOx
– SiO2, プラズマALD
– 回転型Spatial（空間的）プラズマALD
– 粉体への大気圧Spatial ALD
– 熱式とプラズマ式のAlN, SiNxのALDの商業化
– ALD用CCTBA 蒸気輸送
– メタル成膜の高速化のための連続的成膜方法
成膜材料 アプリケーション 備考
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< エネルギー ＞
V-InS 太陽電池
Cu-ZnO 燃料電池 触媒（水素発生）、CNT, MLD
Cu2S 太陽電池 キャリアー制御、高寿命化
Pd リチウム酸素電池 Pdナノパーティクル、ZnOパッシベーション化多孔質炭素
? CIGS太陽電池
成膜材料 アプリケーション 備考
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< ULSI FEOL/BEOL ＞
Mn インターコネクト
Ru-Mn 拡散バリアー
ZnO III-V族半導体 パッシベーション
Ferroelectric HfO2 新型半導体?
ZrO2 ? Yドーピング、酸素の制御
? キャパシター Metal-Insulator-insulator-metal
? ? ナノラミネート絶縁体
AlSiOx III-V族半導体
Ru ?
SiNx ? 低温プラズマ、密度、エッチレート
以上。
