ALD2015 Preview その3
６月３０日（２日目）
成膜材料 アプリケーション 備考
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< ALD成長と個別化 ＞
? 半導体III-V族 High-K用の安定化層
SiO2 ? ニッケルフィルム上
VO2 ? PLD (= Pulse Laser Deposition)とALDの比較
S GaAs CMOS キャパシターの性能改善
InN ? Atomic Layer Epitaxy
InZnO ? 透明電極
W ? CVD とホットワイヤー型ALDの比較
TMDCs 次世代半導体? (MoS2, WS2など）
(= Transition Metal Dichalcogenide)
TiOxNy 半導体 東京エレクトロンのご発表
AlN ? Atomic Layer Expitaxy
SiN ? プラズマALD, プレカーサ選択
GaN LED/パワーデバイス プレカーサ比較、ホローカソードプラズマALD
酸化膜 次世代半導体? 単層グラフェン上、ウエハースケール
SiO2 ? Siと化合物半導体の接合界面の活性
SiXC ? カーボン含有でSiベースの絶縁体
? ? プラズマと基板表面の反応
Al2O3 オプティカルファイバー 屈折率
フッ素系
フィルム 光学膜 Far UV光でのアルミミラーの保護と改善
BiFeO3 ?
ZnO ? 単一原子からWurtzite結晶構造へ
Al2O3 ? 低温
成膜材料 プレカーサ材 アプリケーション・備考
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酸化膜 アルコキシド 光アシスト型ALD
SiNx 窒素 プラズマ
MoS2 ? 低温
SiNx Trisilylamine 窒素プラズマ
Mn ?
Au ?
? ? 次世代プレカーサ?
成膜材料 備考
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< ULSI FEOL/BEOL＞
Mnシリケート Gordon 先生のご発表
TaN バリアー層、Low-k材
酸化金属 選択的ALD
? プレカーサ alkyl とalkylamideの比較、InAsやGaAs表面上
< ナノ構造 ＞
– TMDC（MoS2 ）
– ポリマーテンプレートを使用した酸化金属の直接パターニング
– SilylationとUV/Ozonolysisを利用したALDパターニング
– 原子レベルのエッチング用マスクのためのUHV-ALD技術の開発
– ALD-VO2からV2O5ワイヤーの形成
– ALDを使用した単層分の厚みのInN/GaN量子井戸の開発（千葉大学）
– ALDによるmultiferroic材料の合成と反応
– Al2O3 High-K材成膜とMoS2の電気特性
– ALD-TiO2, フルフレルアルコールのポリマー形成（重合）、そして熱分解によるファイバーコーティング
– プレカーサー：WF6, H2S, H2プラズマによるWS2のプラズマALD成膜
– 銀ナノワイヤーへAl2O3を形成した２軸キャパシター
– ZnOナノ構造合成
– MoS2
成膜材料 アプリケーション 備考
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< エネルギー ＞
? 太陽電池 3Dナノワイヤ
? ナトリウムイオン電池 ナトリウム含有アノードとカーソド材料
SiOx/Al2O3 ?
AlS Liイオン電池
ZnO 熱電物質
V2O5 スーパーキャパシター メソやマイクロ多孔質へのALD成膜
? 触媒 触媒の合成、高スループットALD
成膜材料 アプリケーション 備考
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< 新規物質 ＞
有機無機超格子 ? 熱電導性
ZnS 透明導電膜 Cuドーピング
Triethanolamine-metalcone
バリアー層 MLD
有機無機フィルム Liイオン電池
Fe2O3 ? Atomic Layer Epitaxy成長
成膜材料 アプリケーション 備考
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< エネルギー ＞
TiO2 ペロブスカイト太陽電池 ブロッキング層
? 金属触媒
TiO2 ? 水プレカーサー使用
LaSrCo SOFC (固体酸化物形燃料電池) 電極
? リチウム酸素電池 ナノ構造カソードの合成
RuO2 擬似キャパシター
? 固体リチウム電解質 マルチレイヤー
Ta2O5 水分解 フォトアノードの保護膜
成膜材料 アプリケーション 備考
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< 新規物質 ＞
MoS2 ?
Pd ? グラフェン上にパラジウムナノパーティクルを形成
ポリユリア ? MLD
有機無機材 光触媒 光触媒の調整
? ? プラズマALD, PTFE
