ALD2017 プログラム
（作成途中です）
土曜の夜のポスターセッション
ALEポスターセッション
＊SiNの超高選択比で方向性を調整可能な擬似的ALE（水素プラズマ/HF）
＊ガスクラスターイオン放射(GCIB)を使ったALE（兵庫大学の豊田紀章氏、材料：Cu、酢酸 /O2のGCIB）
＊WF6とBCl3の連続的に使ったTiO2の熱式ALE
＊フルオロカーボン成膜とO2プラズマエッチングの選択的ALEで援用したALD-SiO2膜のプロファイル制御（ ASMジャパンのザイツマサル氏）
＊HFとTMAを使用するAl2O3のALEプロセス中に生成する揮発性物質のリアルタイム質量分析
＊表面フッ素化を利用した SiO2層（自然酸化膜）の繰り返しプラズマ洗浄（フルオロカーボンラジカル/ O2又はArプラズマ）
＊GaNとAlGaNの低ダメージ繰り返しエッチング（Cl/Arサイクル）
＊HFとTMAを利用した「変換エッチング」によるZnOの熱式ALE（表層部がZnO à Al2O3 à AlF へと変遷していると考えられる。）
＊SiO2の極低温ALEの提案（フルオロカーボンのチャンバー壁への付着問題への対策。Ar+C4F8/Ar with no bias/ Ar with bias）
＊熱式ALE用の新規フッ化試薬としてのSF4 ：Al2O3とVO2への応用（SF４/Sn(acac)2）or BCl3）
＊加速中性子アトムビーム（ANAB）プロセスを利用したALEの量産化
＊低Teプラズマを利用したSiNエッチング（パルス電子ビームが生成するプラズマ利用、SF6環境下）
＊酸化GaSbの表面クリーニング：水素原子、アルゴンイオンと温度の影響
＊大気圧プラズマシステムでのAl自然酸化膜の表面洗浄とパッシベーション（窒素と水素ガスをパラメータとした親水性と疎水性の検証）
＊ナノスケールのパターン転写用反応性イオンエッチング装置でのSiのALE（Clガスによる表面活性とArプラズマによる除去、レジスト： HSQ）
＊従来型の平行平板容量結合プラズマでの選択性フルオロカーボンベースのALE（例 SiO2エッチング、CHF3ベース、Arスパッタ〜エッチングが中心的役割で、アスペクト比に依存せず）
＊RFプラズマの静電気：RF中に存在するDC成分の正電荷と、膜となる層の負電荷との静電気反応の膜組織への影響（この静電気反応を制御することによりカーボンコンタミの低減も可能）
＊MoS2への選択性を持たせたアモルファスSiのALE（Cl2ベース、バイアスAr活性、エッチレート：）0.6nm/cycle、下地のMoS2へはダメージレス）
＊方向性を持つALE用の新規材料—装置のシミュレーション
日曜の朝のセッション
総括セッション
＊（招待講演）マイクロエレクロトニクスでのALDの将来的用途と挑戦（先端半導体用途の要求仕様、ALDの材料、ハードウエアについて）
＊半導体産業における成膜技術の将来トレンド（コンフォーマル成膜、ボイドのない埋め込み、機能性材料の要求）
総括セッション
＊（招待講演）ALE — その可能性と限界の概要
ALD基礎（プリカーサーと反応メカニズム/ 高アスペクト比と大面積）
＊（招待講演）シリコン絶縁体のALD：プリカーサー、プロセスとプラズマ（SiO2とSi3N4のプラズマALD）
＊プリカーサー設計とプロセス調整によるカーボンドープされたSiO2のALD（diisopropylaminomethylsilane）
＊低温Si3N4のALD用のシリコンプリカーサーの評価（＜400℃、N2とNH3プラズマの比較）
＊Tris(dimethlamino)Aminosilane（3DMAAS）プリカーサーとオゾンを使用したSiO2のALD（350℃と250℃）
＊SiNのプラズマALD（Di-sec-butylaminosilaneとBis(t-butylamino)silane）とSiNの表面（<300℃）
＊SiNのプラズマALDでの反応メカニズムの第一原理の考察（<400℃、密度汎関数理論（DFT）、シリコンプリカーサーの吸着と解離、シリコンの超原子価的性質）
＊反応材としてNH3とAr/NH3プラズマを使ったAlCl3からのAlNのALD（500℃、Ar/NH3プラズマ、GPC：<0.05nm、コンタミの大幅改善）
＊CuOナノワイヤのALD-Al2O3を通じたナノスケールでの酸素のゲッターリング（TMAとH2O、１から３サイクルのALD膜によるA-OやC-Oボンドの形成や酸素の除去）
＊Wナノパウダーへの温度依存性のあるAl2O3成膜（50〜300℃、ロータリーリアクター）
＊流動層式ALDの主要素（評価項目：パルス時間、パージ時間、流量、粉体の量、SiO2粒子へのAl2O3コーティング）
＊ALDによる超コンフォーマルな膜成長（Al触媒を使ったSiO2、メッキやCVDとの比較）
＊シリコンの横方向高アスペクト比構造(LHAR)でのコンフォーマルプロファイル分析（ギャップ高さ：500nm、ギャップ長さ：1から5,000μm、Al2O3 (TMA + H2O), TiO2 (TiCl4 + H2O)）
＊（招待講演）パーティクルへのALD: 産業化に向けたバッチ式と連続プロセス
ALE
＊（招待講演）アトミックスケール時代を可能にする原子層プロセス（FinFET, CMOS, 原子100個未満、quasi-ALD, quasi-ALE、3nmノードとそれを超えたプロセスへの挑戦）
＊ “Conversion-etch”（変換エッチ）によるSiO2の熱式ALE（TMA、HF、300℃、SiO2 à Al2O3とアルミノシリケート）
＊（招待講演）機能性膜を付与した複雑な材料システムのプラズマエッチングの挑戦と機会（マルチ強磁性体、磁性体、相変換材料）
＊アセティルアセトン（acetylacetone(Hacac)）とリモート酸素プラズマを使ったZnOのALEの新規プロセス（ZnO+Hacac à Zn(acac)2 + O2 plasma cleaning、 Arパージ、150〜300℃、他の材料（CuOx, Al2O3, In2O3）も同様な手法でエッチング可能）
＊（招待講演）ALEの利点と限界の決定：モデル調査（シュミレーション、モンテカルロFeature Profile Model (MCFPM)、Ar/Cl2プラズマ中のSiエッチングとAr/C4F8/O2プラズマ中のSiO2エッチング）
＊自己制御なサイクリックエッチな手法を使ったODLマスクエッチングにおけるCD均一性とアスペクト比依存エッチング（ARDE）の顕著な改善（<7nmノード、カーボンベースのハードマスク、ハイドロカーボンスピンキャストフィルム、３層マスク構造、Arスパッタステップと酸化ステップ）
＊（招待講演）ナノスケールIII-V族の3次元MOSFET （InGaAS FinFET、Fin幅15nmでアスペクト比約10、ナノワイヤー直径20nmでアスペクト比約20、O2プラズマの酸化処理と酸化膜除去（希釈酸）ステップによりInGaAS FinFET幅7nmに到達、デジタルエッチ、エッチングレート1nm/cycle、アルコールベースの酸によりナノワイヤー直径5nmアスペクト比40:1に到達）
＊III-V族化合物半導体材料用ICP/RIEによるALEプロセス（GaN, AlGaN, InAlN, InGaAsとInGaSbのCl2/Ar とHBe/Arでの比較）
＊UV-光学用途のALD-Al2O3の熱式ALE（TMAと無水フッ化水素、フッ化リチウム、225-300℃、0.8 – 1.2A/cycle）
エリア選択性ALD
＊（招待講演）Spacial ALDとポリマーパターンを利用したエリア選択ALD（ポリマー基板、SAM (Self-assembled monolayer、TMA, DEZ, DMAI, H2O、大気圧)
＊３ステップサイクルで、アセチルアセトン(Hacac)を反応阻害剤として使用したSiO2のエリア選択ALD（Hacac, H2Si[N(C2H5)2]2, O2プラズマ、0.09nm/cycle（GeO2とSiO2基板上）（Al2O3, HfO2, TiO2上では成膜成長が著しく遅い）、Al2O3上にHacacを化学吸着させH2Si[N(C2H5)2]2プリカーサーをブロックする）
＊エリア選択ALDで使用する種々のナノインプリントレジストの評価（エッチバリア膜としてのZnO, HfO2, ZrO2, TiO2, Al2O3z、 ALD成膜後にO2プラズマによるレジスト除去の耐性を検証）
＊シングルALD/SAMSを使用した銅vs Low-K（そして酸化膜）上の高いALD選択性に向けたウエハースケールでの開発（HfOx、ブロッキングレイヤー：C18 octadecanethiol (ODT、オクタデカンチオール)、300mm）
＊エリア選択ALDによる大面積ナノラインの作成（Coメタル、bis(N-tert-butyl, N’ethylpropionamidnato)cobalt(II)、）最初にCoOを作成しCoへ還元、ピッチ：110nm、トレンチ幅：40nm）
＊電子ビームパターニングポリマー抑制レイヤーとTDMAプリカーサーを使ったナノスケールのTiO2選択的成膜（ポリマー抑制層：poly(methyl methacrylate)(PMMA, polyvinylpyrrolidone (PVP), ICPプラズマで重合させたフルオロカーボン(CFx) )、プリカーサー：TDMATとH2O）
＊ICPプラズマで重合させたフルオロカーボン層を使ったエリア選択性ALD：酸化物とメタルのケーススタディ（C4F8ガス、ZnO, Pt, Pd）
＊（招待講演）選択的成膜の冒険と長所
＊透明導電酸化膜のダイレクトライトALD：マイクロ、ナノスケールパターニングで形成されるIn2O3:H、ZnO（EBID(電子ビーム誘導描画)、活性化されるSiO2下地層：TEOSとH2O、ZnOプリカーサー：DEZとH2O、ZnOプロセス温度: 100-250℃、
＊ALDによるCoとNiメタルの基板由来の選択性成長（Coプリカーサー： Co(tBu2 DAD)2とアルキルアミン、0.98A/cycle（メタル基板上）、Niプリカーサー： Ni(tBu2 DAD)2とアルキルアミン、0.60A/cycle）
＊エリア選択性成膜で使用するための繰り返しプラズマ処理を施したカーボンへのHfO2とTiO2 ALDの遅延した核形成（APF(Advanced Patterning Film、C2H4のPECVD＠400℃)への選択性、H2プラズマ前処理（400W x 2回）により表面の酸素数ナノメーターを取り除き、C-HやC-C終端を表出させることにより成膜を可能にする。
＊（招待講演）PEALDとALEを合わせた選択性成膜プロセス（300mm、Ta2O5, TiO2、コールドプラズマ）
ナノ構造合成と形成
２次元材料/ラミネート、複合材料と注目材料
＊大面積MoS2のプラズマALD： ２次元モノレイヤーから３次元縦型フィン構造体まで（２次元：ナノエレクロニクス、３次元：水分解用触媒、プリカーサー：[(NtBu)2(NMe2)2Mo]とH2S、約0.9A/cycle、450℃）
＊MoS2の低温ALD（プリカーサー：tetrakis(dimethylamido)molybdenum (MoTDMA)とH2S）、60℃でアモルファス、アニーリング）
＊ALDによる絶縁体とMoS2間の界面形成（プリカーサー：MoF6とH2S、プロセス温度：100-300℃＋アニール温度：800℃、下地又はMoS2を被覆酸化膜：ALDによるAl2O3, MgO, HfO2。）
＊２D結晶体への5nmノード以降のhigh-k絶縁体のPEALD（Arキャリアガスを使用したリモートプラズマ、MoS2とWS2（結果としてHfO2がより優れていた））
＊２次元遷移金属ダイカルコゲナイドトランジスターに関するALDの新規リアルタイム電気特性（電気プローブを使って以下の機能化プロセスを検証：①熱式ALD ②熱式＋窒素ラジカル ③ホローカソード窒素プラズマ ④オゾン）
＊ bis(tert-butylimido)-bis(dialkylamido)化合物と1-Propanethiolを使ったMoS2とWS2成膜（200〜400℃、基板：SiO2/Si、成膜したままだとアモルファス、Moのケースでは300℃周辺で硫黄との結合が発生。 0.5A/cycle@350℃）
＊２次元ナノエレクロニクス用のALDを使ったMoS2上への窒化ホウ素（BN）の直接成長（六方晶系BN、プリカーサー：BCl3とNH3、600〜800℃、基板：Co, SiO2, HOPG, MoS2を検証してCoとSiO2が均一な核成長サイトがあるが、HOPGとMoS2では段差の端のみ成長した。O3処理を施してMoS2の表面改質を改善した。）
＊BNのALDに関する機能的で複雑なナノ構造体の作成（Polymer Derived Ceramic (PDC)、プリカーサー：trichloroborazineとhexamethyldisilazane、アニール処理、（基板：カーボンナノチューブ、SiO2ナノパーティクル、ポリカーボネートメンブレン、サファイア））
＊（招待講演）バルク材が存在しない時： 絶縁体と半導体酸化物のナノラミネートの成長と構造（従来のABABAB成長から(AB)n(CD)mの積層、Al2O3/ZnO、In2O3/SnO2、TiO2/Al2O3、HfO2/Al2O3、アモルファス材のマイクロ構造を調整するためのドーピングやナノラミレート材の合成の制御方法）
＊ALDで成膜したサブナノラミネートY2O3/Al2O3を利用した、単結晶３元材ペロブスカイトYAlO3をGaAs(111)A上へのピタキシャル成長（ヘテロエピタキシャル、サーマルアニール900℃）
＊ALDで成膜したメタル-メタル酸化物のナノ複合材料の抵抗の温度係数の測定（TCR）（メタル：W, Mo, Ta, Nb、メタル酸化物：Al2O3, ZrO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, HfO2、全てのケースで温度が上昇すると抵抗値は下がる、MCP (MicroChannel Plates)で検証。）
＊Atomic Layer Epitaxyで成膜したGa2O3幕の位相制御（プリカーサー：trimethylgallium（パルス0.015秒、パージ10秒）とO2プラズマ（パルス10秒、パージ10秒）、低圧力下でεGa2O3ができ、高圧力下でβGa2O3ができるが、低圧力下でもεGa2O3@350℃ à βGa2O3@500℃となる。また350℃で低圧力下においてO2プラズマ流量により位相を制御できる。）
＊200℃以下でマイクロウェーブECRプラズマを利用したPEALDによる高品質SiNとSiO2フィルムの成膜（プリカーサー：BDEAS (Bis(Diethylamino)Silane)とN2ガス（SiN用）又はO2ガス（SiO2用）、圧力：1Pa未満、SiN（<200℃、密度2.9g/cm3、残留炭素<3%）、SiO2（150℃、密度2.2g/cm3、残留炭素<1%
＊低抵抗Cu薄膜の低温ALD用の還元剤としてのTertiary Butyl Hydrazine （TBH）（Cu(dmap)2を還元 (dmap = dimethylamino-2-propoxide)、プロセス温度：80℃と140℃で検証、正方晶の結晶）
