HfO2を使った強誘電体メモリー

HfO2とZrO2をマルチレイヤーで積層して、アニール処理することで作成すると10nmを切っても強誘電体の性能を維持することがドイツの研究者が発見。公開後に世界的に研究がされているこの強誘電体メモリーで、東京大学(高木信一・トープラサートポン・カシディット研究室と竹中充研究室)と富士通セミコンダクターメモリソリューション社の共同研究の成果が発表されました。詳細はこちらを。4nmとかなり薄く、1Vという低電圧で、100兆回使ってもメモリーとしての機能を失わない、現実に利用できる次世代メモリーとして期待されます。

個人的には、nmサイズの圧電素子も出てくるのではないかと期待しております。