ALD/ALE2019 プログラム

国際学会　ALD/ALE2019 米国シアトル近郊Bellevueにて、2019年7月21日から7月24日で開催されます。
プログラム（英語のオリジナル）

以下、口頭発表の訳になります。（誤字脱字及び無理解などあるかと思います。ご容赦下さい。）

7月22日（月曜）

全体セッション
8:45 （招待講演）ALDイノベーションアワード受賞者
9:30 （招待講演）ALD総論（米国、Argonne National Lab）
11:00: （招待講演）ALE総論（米国、IBM）

— ALDの応用—
バイオ及び宇宙関連用途のためのALD

13:30 吸引ドラッグデリバリー用の医療用粉体に関するALD（オランダ、Delft工科大学）
13:45 医療用放射線同位体元素の利用拡大のためのALD使用方法（オランダ、Delft工科大学）
14:00 バイオセンサー用途向けのALD（フランス、Institut European des Membranes）
14:15 埋込可能なバイオメディカル用マイクロデバイスの密封カプセレーションのための多層積層ALDコーティング（韓国、釜山国立大学）
14:30 耐熱のためのALDによる宇宙飛行ラジエーターコーティング顔料の改質（米国、NASAゴダードスペースフライトセンター）
14:45 NASA向け超電導フィルム用新規ALDプロセスとハードウエア（米国、ジェット推進研究所）
15:00 光学的宇宙用途のためのフッ素ベースALD材料システム（米国、ジェット推進研究所）
15:15天体光学デバイスで使用されるAlFのALD（米国、メリーランド大学）

— ALDの応用—
太陽電池、燃料電池、H2貯蔵のためのALD

16:00 高効率でフレキシブル一体集積した全ペロブスカイトタンデム構造太陽電池を可能にするALDのための核レイヤー（米国、National Renewable Energy Laboratory (NREL)）
16:15 透明電極としてのドーピングされたZnOのALDを使って作成したペロブスカイト太陽電池（アイルランド、Tyndall National Institute）
16:30 半透明ペロブスカイト太陽電池のためのALDとパルスCVDによるメタル酸化膜バリアー層とバッファー層（韓国, KRICT）
16:45 WNの粉体ALD 、Bis(t-butylimido)bis(dimethlyamino)tungsten (VI)とアンモニアから作成した環境バリアコーティング（米国, コロラド大学ボルダー校）
17:00 Mg(BH₄)₂へのALD：自動車用H₂貯蔵改善への道筋（米国、National Renewable Energy Laboratory (NREL)）
17:15 メタルハイドライドからのプラズモン介した水素分離（米国、National Renewable Energy Laboratory (NREL)）
17:30 ALDによる固体酸化燃料電池（SOFC）の表面改質（韓国、高麗大学校）

— ALDの基礎—
ALDプリカーサーI

13:30（招待講演）原材料供給者の挑戦：プリカーサー設計から大量生産への完璧な移行（米国、Versum Materials社）
14:00 プリカーサーと共反応物の選択（カナダ、Carleton大学）
14:15 新規有機金材と共反応物を使ったメタルAuのための熱式ALDプロセス設計（カナダ、Carleton大学）
14:30 導電性かつ透明Ag膜を作成するための大気圧プラズマで利用される新規カルボンベースのAgプリカーサー：AgメタルALD用の約束されたプリカーサー（ドイツ、ルール大学ボーヘム）
14:45 ２層や３層酸化膜ALDのための期待されるプリカーサー群：遷移金属βケチミン（ドイツ、ルール大学ボーヘム）
15:00 MoOx薄膜のための新規で期待されるALDプロセス– プロセス開発から水素ガスセンサー用途に向けて（ドイツ、ルール大学ボーヘム）
15:15 GaO薄膜のALD（日本、高純度科学研究所社）

— ALD基礎—
ALDの成長メカニズムI

13:30ALD, ALEtとLPCVDプロセスのリアクタースケールシミュレーションと最適化へのハイブリッドコンピュータ流体ダイナミクス/マシンラーニングアプローチ（米国、Argonne National Lab）
13:45 3DMASプリカーサーを用いたSiN成長で起きる寄生反応のためのスケール可変な反応速度論モンテカルロモデル（カナダ、Synthergy社）
14:00（招待講演）アイランド成長とエリア選択成膜に関する拡散と凝集（スイス、チューリッヒ工科大学）
14:30 ALDとALEでの表面の反応速度論：観察できる吸着物を利用した反応解明の自動列挙による協力関係のコンピュータ計算（米国、Schrodinger社）
14:45 粉体ALD中での凝集ダイナミクスを正確に予想するための非混和な流体アプローチ（米国、コロラド大学ボルダー校）
15:00 （招待講演）ALDとCVDとの間に存在する時間分解可能な境界線（スウェーデン、Linkoping大学）

— ALD基礎—
成長メカニズムII

16:00（招待講演）半導体上でのALDを使った単結晶ペロブスカイトのモノリスティックな統合（米国、テキサス大学オースティン校）
16:30 ALD技術を使ったパルス気相Cuフリー表面のクリックケミストリーのコンセプト提案（クロアチア、University of Rijeka）
16:45 Al2O3成長のためのアルミニウムプリカーサーの表面強調型ラマン分光解析の研究（米国、イリノイ工科大学）
17:00 調整可能な化学量論を用いたAl、Hf, Zrの酸化フッ化物のALD（米国、コロラド大学ボルダー校）
17:15 PE-ALD法を用いてHigh-kアンダーレイヤー中のメタル-酸素を電気陰性度の違いからSiO2を成長させるメカニズムの基礎研究(日本、芝浦工業大学）
17:30 低温AlN成膜 – ヒドラジンとアンモニアの比較検討(米国、テキサス大学オースティン校)

— ALE—
エネルギー強化型ALE

13:30（招待講演）Atomic Layer Etching – 新しい体制を伴ったアプリケーションの進展（米国、LAM research社）
14:00 高選択性エッチングのための酸素プラズマとフルオロカーボン成膜を切り替えるALEの界面層の制御（日本、名古屋大学）
14:15 低温サイクルなAr/CHF3プラズマを使ったSiO2の自己制御ALE（米国、Lawrence Berkeley National Lab）
14:30 フルオロカーボンプラズマベースのALEプロセスでのレジスト層構造の進化と表面形態（米国、メリーランド大学）
14:45 SiO2のALE を改善するためのC4F8/Arプラズマの最適化されたラジカルの構成（韓国、Chungnam National 大学　忠南大学）
15:00 新規エッチングガスを利用したシリコンや酸化膜上での超高選択性を持ったSiNのALE（米国、American AirLiquide社）
15:15 低基板温度でのALE（フランス、GREMI Universite d’ Orleans/CNRS）

— ALE—
化合物半導体のALE

16:00（招待講演）III-V族化合物半導体デバイス作成におけるALEプロセスの開発と応用（英国、グラスゴー大学）
16:30 周期的表面反応を使ったGaNとGa2O3の熱式ALE（米国、コロラド大学ボルダー校）
16:45 パワーデバイス用途のための自己制御サイクリックなアプローチを使った選択的GaNエッチングプロセス（フランス、Univ. Grenoble Alpes）
17:00 周期的な酸化とH2/N2プラズマを使ったGaN (0001) のALE（米国、アリゾナ州立大学）
17:15 GaN用の２つのALEプロセスの比較検討（日本、筑波大学）
17:30 塩素吸着とイオン放射の繰返しプロセスの擬似的ALEでのGaNの塩素終端の表面層（日本、名古屋大学）

7月23日（火曜）

— ALDの基礎—
ALDプロセスのその場最適化

8:00 NiS ALD中に置ける表面化学（中国、北京大学）
8:15 PE-ALD-Co膜に関するその場と真空中での研究（ドイツ、ドレスデン工科大学）
8:30 大気圧に準ずる低圧XPSを通したPE-ALD成長のHfO2薄膜の検証：プリカーサー最適化プロセス設計と反応ガスにさらされた膜表面の研究のための新規なその場実験アプローチ（ドイツ、ルール大学ボーヘム）
8:45 PE-ALDプロセスを主題にしたGaN基板の表面科学研究（米国、UCサンタバーバラ校）
9:00 Al2O3の大気圧Spacial（空間式）PE-ALDに関するその場赤外線と発光分光分析（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
9:15 時間分解その場質量分析を使ったALD反応生成物の痕跡（ベルギー、ゲント大学）
9:30（招待講演）X線ベースのその場最適化によるPtとPdナノパーティクルALDの研究（ベルギー、ゲント大学）

— ALDの基礎—
成長と最適化II

10:45 高解像度TEMを使ったその場観察によるALD成長膜の核化現象の研究（ノルウェー、ノルウェー科学技術大学）
11:00 プラズマALD成長させた結晶化AlN膜のエリプソメータによるその場分析（米国、コネティカット大学）
11:15 TrisilylamineとN2プラズマで成膜したALD-SiNxの膜特性（フィンランド、Beneq社）
11:30 石英とサファイヤプラズマ源を使ったプラズマALDで成膜した導電性窒化膜の特性比較（イスラエル、テクニオン-イスラエル工科大学）
11:45  ホローカソードプラズマALDでのAr/N2プラズマとのTrimethylindium (TMI)の表面反応における水素ラジカルの役割（米国、コネティカット大学）

— ALDの応用—
触媒、電気触媒、光触媒のためのALD

8:00 （招待講演）太陽光燃料：ハロゲン化物ペロブスカイトを酸適合性があり、クラスター型電気触媒にする（米国、Argonne National Lab）
8:30 CoPのプラズマALD：酸化還元反応へのプロセス開発と電気触媒反応機構（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
8:45 縦方向に力をかける流れを使ったALDにより作成したPt触媒の改善した電気化学反応（台湾、国立精華大学）
9:00 燃料電池のためのALD-Pt触媒に関するX線吸収分光解析（ノルウェー、ノルウェー科学技術大学）
9:15 ALD膜の促進効果を利用した合成ガスから生成したC2+酸化物用のCo2C反応の強化（米国、スタンフォード大学）
9:30 BiVコアシェルなのワイヤー光陽極のALD（米国、ミシガン大学）
9:45 流動層を使うALDによるTiO2(P25)上PtとSiO2成膜による光触媒効率の改善（オランダ、デルフト工科大学）

— ALDの応用—
電池用途のALD I

10:45 全固体Liメタル電池用のガラス状LiBC電解質のALD（米国、ミシガン大学）11:00 Liメタル負極に対峙したLi₁₀GeP₂S₁₂固体電解質の安定のためのALD界面（米国、ミシガン大学）
11:15 Liメタル上へのALDとMLD – 安全、長寿命、高エネルギー密度電池に向けての実践的アプローチ（米国、Arradiance社）
11:30 高クーロン効率Liメタル負極のための3次元集電とALDによる表面改質によるシナジー効果（米国、ミシガン大学）
11:45 Liイオン電池用電極としての硫黄元素からALD成膜したFeS@CNT（カナダ、ブリティッシュコロンビア大学）

— ALDの基礎—
ALDプリカーサーII

8:00 ALDプロセスのための水輸送の最適化（米国、アメリカ国立標準技術研究所）
8:15 共反応物としてのTert-butylhydrazineを使った低抵抗NiN薄膜のための塩化ニッケル付加物の複合体（フィンランド、ヘルシンキ大学）
8:30 低不純物AlNを成膜するためのシンプルで合理的に設計したAlプリカーサー（カナダ、Carleton University）
8:45 100℃未満での鉛(II)硫化物PbSのALD（フィンランド、ヘルシンキ大学）
9:00 Ni(^tBu2DAD)²とオゾンを使用した透明p型半導体NiOのための新規ALDプロセスの開発と最適化（米国、オレゴン州立大学）
9:15 ジアミドプランビレンの熱分解の防止策（カナダ、Carleton University）
9:30 Sc(cp)₃と新規ヘテロレプティック（複数の配位子をもつ）プリカーサーを使ったSc₂O₃のALD（フィンランド、ASM社）
9:45 化学吸着とbis(t-butylimido)bis(dimethylamino)の還元に基づくWS₂の自己制御ALD（ドイツ、フンボルト大学ベルリン）

— ALDの基礎—
エリア選択ALD

10:45 （招待講演）CD（クリティカル寸法）20nm未満へのエリア活性と非活性によってウエットとドライ選択性プロセスの概要（ベルギー、IMEC）
11:15 室温でのCoメタル膜の電子強化ALD (EE-ALD) （米国、コロラド大学ボルダー校）
11:30 分子設計関するエリア選択ALD（日本、ADEKA社）
11:45 ALDでの表面依存性から検討したナノパターンでのTiNのエリア選択ALD（ベルギー、IMEC）

— ALE —
ガス気相と/又は熱式ALE

8:00 （招待講演）遷移金属表面に吸着したHexafluoacetylacetone(Hfac)の分析（日本、大阪大学浜口研）
8:30 酸化反応と”Conversion-etch”メカニズムを使ったSiNの熱式 ALE（米国、コロラド大学ボルダー校）
8:45 塩素分子とジケトンへの連続暴露によるCoの熱式ドライALE（米国、デラウェア大学）
9:00 HFによるB₂O₃とTiO₂の自発的エッチング：WO₃ALEとTiN ALEにおける剥離反応（米国、コロラド大学ボルダー校）
9:15 Al₂O₃とTiNの熱式ALE（フィンランド、ASM社）
9:30 アモルファスと結晶質なHfO2, ZrO2, HfZrO2の熱式ALE（米国、コロラド大学ボルダー校）
9:45 サイクリックに繰返すプラズマ酸化と有機金属化を使った平滑なエッチングされた表面を使ったCoの等方性ALE（日本、日立製作所）

— ALE —
ALEへの代案となる手法

10:45 ハロゲン中性子ビームを使ったGeのALE：BrとCl化学の比較（日本、東北大学）
11:00 Geのレーザー等方性原子剥離（米国、LAM research社）
11:15 ３次元CMOSでのスペーサーエッチングのためのサイクリックモードでの新規エッチング/パッシベーションプロセス（フランス、CEA-LETI）
11:30 ガスクラスターイオンビーム照射とアセチルアセトンを使った遷移金属のALE（日本、兵庫県立大学）
11:45 大気圧でのALE（ドイツ、University of Wuppertal）

— ALDの基礎—
プラズマALD: 成長と最適化

13:30 中性子ビームALDによる低温高品質SiO2（日本、東北大学）
13:45 膜のコンフォマリティー（追随性）から決まるSiO₂, TiO₂,Al₂O₃のプラズマALD成膜中のラジカル表面再結合の確率（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
14:00 パルスリモートプラズマの光学分光を使ったALDプロセスのその場ガスモニターリングのための安定した手法（UK、リバプール大学）
14:15 室温に近い温度帯での金メタルのプラズマALD（ベルギー、ゲント大学）
14:30 マイクロキャビティープラズマALDの配列を使ったGaOとAl2O3の低温成膜（米国、イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校）
14:45 プラズマ原子層エピタキー成長でプラズマ条件を降った時の影響（米国、US Naval Research Lab）
15:00 （招待講演）ウルトラワイドバンドギャップを持つGa2O3と(AlxGa1-x)2O3膜のプラズマ原子層エピタキー成長（米国、US Naval Research Lab）

— ALDの応用—
メモリー用途のためのALD I

16:00 （招待講演）先端強誘電体と反強誘電体メモリーデバイス向けのHfOxとZrOxのドープされたHigh-K ALD膜（米国、Eugenus社）
16:30 強誘電体用途のためのLaドープしたHfO₂膜のALD（フィンランド、ASM）
16:45 負性容量と誘電反応のためのマルチドメイン強誘電体ZrO₂薄膜の最適化（台湾、台湾大学）
17:00 メタル-強誘電体−メタル（MFM）とメタル−強誘電体−絶縁体−半導体（MFIS）構造での強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂のスケーリング（米国、テキサス大学ダラス校）
17:15 VN電極とALD成長させたZrO2 High-K絶縁膜を使ったMIM キャパシターの界面最適化（韓国、Samsung社）

— ALDの応用—
新興の用途 I 

13:30  （招待講演）IGZO半導体薄膜のALD：プリカーサーから薄膜トランジスター用途へ（韓国、漢陽大学校）
14:00 トポロジカル絶縁体Sb2Te3上へのCo極薄膜のALD成長（イタリア、CNR-IMM Unit of Agrate Brianza）
14:15 セルロースで強化したエポキシ樹脂組成をALDを使って界面化学改質（米国、ジョージア工科大学）
14:30 チタニア上へのAuナノパーティクルのALD（オランダ、Delft工科大学）
14:45 歴史的な銀の遺物の保護のたけの銀上への多層保護膜コーティング（米国、メトロポリタン美術館）
15:00 TiO2ベースのALD薄膜非直線性光学特性（米国、メリーランド大学）
15:15 木材の濡れ性と熱特性を変えるALD（米国、ジョージア工科大学）

— ALDの応用—
電池用途のALD II

16:00 異なるフッ素源を用いたLiF薄膜の電気特性調整（米国、Argonne National Lab）
16:15 Liイオン電池カソード材料の電気化学性能に関するAl₂O₃ALDプリカーサーの役割（米国、Argonne National Lab）
16:30 高容量Liイオン電池電極のためのハイブリッドナノラミネートの空間的（Spatial）ALD（オランダ、TNO/ホルストセンター）
16:45 種々電池部材向けLi有機薄膜（フィンランド、アールト大学）
17:00 高レートLiイオン電池のためのLiCoO₂のALD浸透（アイルランド、Tyndall National Institute）

— エリア選択ALD —
エリア非活性化によるエリア選択ALD

13:30 プリカーサーの比較検討によるAl₂O₃の選択的ALDメカニズムの解明（米国、スタンフォード大学）
13:45 ドデカンチオールを使用したエリア選択ALD:モノレイヤー vs マルチレイヤーの比較（米国、スタンフォード大学）
14:00 ブロッキング層を用いて修飾したSiO2表面へのZrO₂のエリア選択ALDの間に起きる選択性破綻のメカニズム（米国、コロラド鉱山大学）
14:15 Co(CO)プリカーサーからCoのエリア選択CVD（米国、イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校）
14:30 メタル/絶縁体の選択性のために4段サイクルで阻害物質を使ったSiO2のエリア選択ALD（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
14:45 非活性化ポリマーのエリア選択成長（米国、IBM社アルマデン）
15:00 サブμサイズの解像度を持つポリマーの電気流体力学JETプリンティングでパターニングしたZnOのエリア選択ALD（米国、ミシガン大学）
15:15 SiNの選択的成膜（米国、Entegris社）

— エリア選択ALD —
エリア選択ALD：エッチング技術との組合せ

16:00 ALDと選択性エッチングを組合せることによるRuのエリア選択成膜と平滑化（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
16:15 TiN/SiO2ナノパターン上へのRuのエリア選択ALDのための欠陥軽減解決策（ベルギー、ルーベン・カトリック大学/IMEC）
16:30 成膜/エッチングを伴ったエリア選択ALD開発のためのシングルバッチ処理案（フランス、LTM-UGA）
16:45 メタル酸化膜の欠陥フリーなエリア選択成膜のためのアモルファスカーボンの表面ハロゲン化（ベルギー、ルーベン・カトリック大学）

— ALE —
モデリング＆と機器I

13:30 （招待講演）ナノ構造体のALE（デンマーク、コペンハーゲン大学ニールスボア研究所）
14:00 Si化合物のプラズマALEでの選択性：その場表面分光解析で研究した反応メカニズム（日本、ASM社/名古屋大学）
14:15 高い生産性を可能にするチャンバーの真空戦略（アイルランド、Edwards Vacuum社）
14:30 プロパンとCOを使用したCoメタルの熱式ALEのメカニズム研究（アイルランド、Tyndall National Institute）
14:45 ボトムアップSi₃N₄パッしベーションを経ての、Si₃N₄上へのSiO₂の選択的擬似ALD：コンピューター研究（米国、TEL Technology Center）
15:00 （招待講演）ボクセル-スラブモデルを使ったCWとALE間の異なるエッチング要素の洞察（日本、ソニーセミコンダクター）

— ALE —
モデリング＆と機器II

16:00 ハイドロフルオロカーボン（代替フロン）を使ったSiNのALEの第一原理の理解（米国、テキサス大学オースティン校）
16:15 アスペクト比に依存するALEの拡張クヌーセン拡散モデル（オーストリア、ウィーン工科大学）
16:30 ALEのための熱力学ベースのスクリーニングアプローチ（無所属）
16:45 常に対立するもの：ALDとALEにおける自己制御と継続反応（米国、Schrodinger社）
17:00 ALEにおけるサイクル毎のエッチング深さのバリエーションと反応種の除去：分子ダイナミクス研究（日本、大阪大学）

7月24日（水曜）

— 新興材料—
MLD （分子層成膜）

8:00  TiClとフマル酸又はマレイン酸を使ったチタニコン膜のMLD（中国、南京大学）
8:15  CuとSi上でのポリイミドMLDの温度依存性表面化学（フィンランド、ヘルシンキ大学）
8:30  ゼオライトイミダゾレートフレームワーク(ZIF)膜のダイレクト成膜のための統合MLDスーパーサイクル（ベルギー、ルーベン・カトリック大学）8:45  時間領域サーモリフレクタンス法を使ったポリウレアのMLDの核形成メカニズムの理解（米国、ノースカロライナ州立大学）
9:00  インジウムプリカーサーとヒドロキノンを使ったIndicone薄膜のMLD（韓国、漢陽大学）
9:15  ヘテロ二機能性有機反応物を使ったMLDで成膜した大気安定性Alucone薄膜（韓国、漢陽大学）
9:30  固体組成の電解質のためのマトリックス材料としての、マグネシウムベースのハイブリッド材料「Magnesicone」のMLD（ベルギー、ゲント大学）9:45  回転シリンダー反応器を使った粉体へのポリアミド膜のMLD（米国、コロラド大学ボルダー校）

— 新興材料—
有機−無機ハイブリッド材料

10:45 Vapor Phase Infiltration (VPI)：　絶縁ポリマーファイバーを導電物質にするための道（スペイン、CTECHnano）
11:00 有機溶媒分離メンブレンのためのミクロな多孔質へのメタル有機材のVapor Phase Infiltration (VPI)（米国、ジョージア工科大学）
11:15 強化型の重量分析の水や酸素蒸気のセンシング特性を持ったZnO-埋込ハイブリッドポリマー薄膜（米国、オークリッジ国立研究所）
11:30 膜接着性を改善するためのVapor Phase Infiltration (VPI)で作成した物理的に浸透させた有機-無機の表面下の層（米国、ジョージア工科大学）
11:45 無機-有機薄膜の構造と熱伝導度（フィンランド、Aalto大学）

— 量産のためのALD—
空間式ALD、高速ALDと大面積ALD

8:00 「エアーホッケー」空間式ALD反応室でのプリカーサー分離に関する運転パラメーターの影響（米国、コネティカット大学）
8:15 大気圧でのAg薄膜のプラズマ空間式ALD（ドイツ、Wuppertal大学）8:30 （招待講演）アミノシランプリカーサーとDCダイレクトプラズマからSiN膜の低温空間式PEALD（米国、Lotus Applied Technology社）
9:00 オープンエアー空間式ALDに変換可能な大気圧プラズマ反応室の開発と最適化（フランス、GREMI Universite d’Orleans/CNRS）
9:15 高速プリカーサー照射のためのドラバル・ノズルを採用した高速プラズマALD（ドイツ、Fraunhofer）
9:30 天文台用ミラー（やその他）用途のためのメータ規模のALD光学コーティング装置の開発（米国、カルフォルニア大学サンタクルーズ校）
9:45 ウエットラボからクリーンルームへ：極薄ゼオライトイミダゾレートフレームワーク(ZIF)の大判成膜のためのALD-CVD統合プロセス（ベルギー、ルーベン・カトリック大学）

— 新興材料—
エピタキシャル成長とIII-V族材料

10:45 パルス加熱ALDを使ったDiethylzincと水からC面サファイヤ上にZnOの原子層エピタキシー（米国、ジョージア工科大学）
11:00 低温原子層エピタキシーによるAl/AlN/Al SISジョセフソン接合素子でのAlNのバリア膜の成長（米国、US Naval Research Lab）
11:15 プラズマALDにより成長させたGaN薄膜の結晶性へのアルゴンの影響とプラズマのパラメーターの調査（米国、コネティカット大学）
11:30 低温原子層アニーリングとエピタキシーによる極薄GaNエピ層（台湾、国立台湾大学）
11:45 FTOベースの薄膜太陽電池でのIII族窒化膜の高品質ALD形成とその応用（中国、北京科技大学）

— ALDの応用—
メモリー用途のALD II

8:00 （招待講演）市場に出回る先端ロジックやメモリーデバイスでのALD/ALEプロセス（米国、Techinsights社）
8:30 シルバーベースの非常に急峻な閾値を持つ切替セレクターのためのALD成膜した結晶性ZnO（米国、テキサス大学ダラス校）
8:45 相変化メモリー用途のための組成制御したALD成膜したGe-Se-Te OTSセレクター（米国、Intermolecular社）
9:00 OTSセレクター用途のためのアモルファスGeSeのパルスCVD（ベルギー、IMEC）
9:15 （招待講演）３次元NANDスケーリングにおける薄膜の挑戦（米国、Intel社）
9:45 MLD/ALDによるTiベースマレイン酸/TiO₂ハイブリッドバイレイヤーメモリスタを使ったバイオシナプスのシュミレーション（中国、南京大学）

— ALDの応用—
ULSI用途のALD I

10:45 （招待講演）研究から大量生産へのALDによるHigh-kメタルゲートの旅（米国、TEL Technology Center社）
11:15 ALDで成長させたHfO₂の構造的かつ電気的特性へのErドープの影響（韓国、延世大学）
11:30 Ruをボトム電極に持つALD成膜したZrO₂MIMキャパシターの電気的性能の改善（韓国、延世大学）
11:45 超高真空アニーリングを使ったALD―Y₂O₃/GaAs(001)界面の最適化（台湾、国立台湾大学）

— ALE —
ALEの統合化と応用

8:00 （招待講演）次世代微細化イノベーションへのALDとALEのシナジー（米国、TEL Technology Center社）
8:30 （招待講演）選択的アトミックレイヤープロセスでの各エッチング要素の役割に関して：高選択性を得るためのエッチングと成膜（オランダ、TNO/Holst Center）
9:00 熱式TiO₂のALDとALEの等温での統合による各種表面でのエリア選択TiO₂成膜（米国、ノースカロライナ州立大学）
9:15 ３次元構造物へのローカル膜コーティングのためのドーズ量を制限したALEとALDプロセス（米国、Seitek50）
9:30 基板のその場薬品洗浄を使ったSiへのオーミック接触の形成（イスラエル、テクニオン- イスラエル工科大学）
9:45 擬似ALEによるSADP (Self Aligned Double Patterning) スペーサープロファイルエンジニアリング（米国、Mattson Technology社）

— ALE —
材料選択性ALE

10:45 ダイナミックな温度制御で可能にしたTiNのALE（米国、LAM Research社）
11:00 （招待講演）高選択性で、自己制限で、コンフォーマルな特徴を持つ薄膜の高速熱サイクリックなALE（日本、日立製作所）
11:30 材料選択性成膜現象を利用したSiへの選択性があるHfO₂のALE（米国、メリーランド大学）
11:45 表面の機能化を使ったSiベースの絶縁体のプラズマALEでのエッチング選択性の強化（米国、コロラド鉱山大学）

— ALDの応用—
新興の用途 I 

13:30 環境による劣化よりSrAl₂O₄ベースの長寿命蛍光物質を保護するためのALDによるナノコーティング（米国、ジョージア工科大学）
13:45 ALD表面処理を用いたポリマー-エポキシ樹脂界面の裂け目の強靭性の強化（米国、ミシガン大学）
14:00 高性能光触媒のためのZnOナノロッドへのPdのALD（韓国、高麗大学）
14:15 低温ALDで作成した絶縁光学デバイスと使った加速光線(ALB)発生機（米国、Arradiance社）
14:30 Al₂O₃のALDによる保持と改良された調整可能なプラズモニックカラー（カナダ、Carleton大学）
14:45 時空間分岐PE-ALDとPE-CVDハイブリッドシステムによるOLEDディスプレーのTFE(薄膜保護膜)（韓国、JUSUNG Engineering社）
15:00 プラズマALDで用意した超薄界面膜を使ったZrO₂薄膜の強誘電性の最適化（台湾、国立台湾大学）

— ALDの応用—
ULSI用途のALD II

13:30 （招待講演）リモートプラズマALDを使ったSiベースLow k 絶縁材料（韓国、漢陽大学校）
14:00 優れたコンフォマリティーとウェットエッチ耐性を持つプラズマALDによるSiOC膜（米国、ASM）
14:15 超電導のTSV (Si貫通穴)のためのTiNのALD（フィンランド、VTT Technical Research Center）
14:30 Ru(DMBD)(CO)₃とO₂からALD成膜したRuのアニール後の物理と電気特性（米国、オレゴン州立大学）
14:45 浅いドーパント（不純物）源の用途のためのフッ素FフリーなボロンBを含む組成の層（米国、Argonne National Lab）
15:00 中エネルギーイオンによる、プラズマALDにより成長させたTiN薄膜のマイクロ構造と物理的特性への影響（フランス、LTM-UGA）

— 新興材料—
三元と四元の酸化材

13:30 Re(III)ベースの三元酸化膜：　ALDを含む典型的でない反応の過程を経た直接合成による新規材料（米国、Argonne National Lab）
13:45 いくつかのZrプリカーサーを使用したALDで成長させたPdZrO₃やPdZrxTi_1-xO₃の成長過程と電気特性の最適化（米国、メリーランド大学）14:00 ALD NiAlyOxの成長特性の理解：オゾンの役割（米国、スタンフォード大学）
14:15 BxMg_1-xO膜のALD: 浅いボロンドーピングへの進展（米国、Argonne National Lab）
14:30 改良したALDプロセスを使ったメタル酸化膜の強化したドーピング制御（日本、Ulvac社）
14:45 制御可能な電気特性を持つ成膜されたままのエピタキシャルLaNiO₃とLa(Ni, Cu)O₃（ノルウェー、オスロ大学）
15:00 強誘電体Hf_0.58Zr_0.42O₂薄膜での集電反応の時間依存性（米国、Sandia国立研究所）

— ナノ構造の合成と作成—
ALDによる2Dナノ材料（遷移金属ダイカルコゲナイドを含）

13:30 結晶性MoS₂薄膜を達成するための改良ALDプロセス（米国、スタンフォード大学）
13:45 絶縁体表面上へのALD MoS₂膜の核形成と成長（米国、Argonne National Lab）
14:00 （招待講演）遷移金属ダイカルコゲナイドのプラズマALD: 2次元モノレイヤーから３次元縦型ナノフィンまで（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
14:30 新興２次元半導体HfS₂とZrS₂のALD（フィンランド、ヘルシンキ大学）
14:45 ２次元遷移金属(M=Ti, Nb) di- (MX₂)とTri- (MX₃) Sulfidesの位相制御合成のための低温ALD（オランダ、アイントホーフェン工科大学）
15:00 環境用途のためのALD BN（ボロンナイトライド）をコートと充填したカーボン物質（フランス、リヨン大学）

End