ALDによる強誘電体メモリー

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治先生が東京大学の小林正治先生と共に強誘電体メモリーを開発している研究が記事になっております。
https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2206/13/news044.html#utm_medium=email&utm_source=ee-elemb&utm_campaign=20220614

強誘電体HfZrO2も酸化物半導体In2O3もALDで成膜されております。